空气柱型垂直腔面发射激光器的结构及其制备方法

摘要

一种空气柱型垂直腔面发射激光器的结构及其制备方法，属于半导体光电子领域。结构包括从上往下排列的p型欧姆接触层1，上分布布拉格反射镜2，Al_xGa_1－xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4，有源区单元6，下分布布拉格反射镜7，缓冲层8，衬底9和n型电极10，特征在于：上分布布拉格反射镜2和Al_xGa_1－xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4之间有腐蚀停层3及Al_xGa_1－xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4和有源区单元6中的p型限制层11之间设置有相位补偿层5。制备方法特征在于：采用选择性腐蚀方法湿法腐蚀上分布布拉格反射镜2至腐蚀停层3，再分别采用选择性湿法腐蚀腐蚀停层3和Al_xGa_1－xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4到相位补偿层5，其余采用常规技术。本结构可用传统的半导体化学湿法腐蚀工艺，降低成本，提高器件的性能，可靠性和生产效率。

主权项

1、一种空气柱型垂直腔面发射激光器的结构，如图4所示，包括有依次纵向层叠从上往下排列的p型欧姆接触层(1)，上分布布拉格反射镜(2)，AlxGa1-xAs(x≥0.9)湿氮氧化层(4)，有源区单元(6)，下分布布拉格反射镜(7)，缓冲层(8)，衬底(9)和n型电极(10)，其中有源区单元(6)由自上而下依次排列的p型限制层(11)、增益区(12)、n型限制层(13)所构成，其特征在于，在上分布布拉格反射镜(2)和AlxGa1-xAs(x≥0.9)湿氮氧化层(4)之间设置有腐蚀停层(3)，以及AlxGa1-xAs(x≥0.9)湿氮氧化层(4)和有源区单元(6)中的p型限制层(11)之间设置有相位补偿层(5)。