| 发明名称 | 通过优化电磁能的吸收加热半导体晶片的系统和方法 | ||
| 摘要 | 一种用于热处理半导体晶片(14)的设备，该设备包括加热设备(22)，加热设备(22)包含向晶片(14)上发射光能的一组线性灯(24)。线性灯(24)可以多种设计被放置。按照本发明，被用于调节光源的总辐照度分布的调节设备(40)被包括在加热设备(22)中。例如，调节设备(40)可以是灯或激光器。 | ||
| 申请公布号 | CN1556910A | 申请公布日期 | 2004.12.22 |
| 申请号 | CN02818549.8 | 申请日期 | 2002.11.05 |
| 申请人 | 玛特森技术公司 | 发明人 | 保罗·贾尼斯·蒂曼斯 |
| 分类号 | F27B5/14 | 主分类号 | F27B5/14 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种加热半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：将半导体衬底放置在处理室中；将光能导向所述半导体衬底以加热所述半导体衬底，所述光能以大于0°的入射角接触所述半导体衬底；和其中所述光能在p偏振面或接近p偏振面中接触所述半导体衬底。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||