发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
摘要 | 磁场形成机构21的各个磁体块22,如图3(a)所示,从各个磁体块22的磁极朝向真空室1侧的状态开始,如图3(b)、图3(c)所示,相邻的磁体块22同步反向转动,所以相隔一个的磁体块22就变成同向转动,可以控制在真空室1内形成的半导体晶圆片W的周围的多极磁场的状态。由此,可以容易地根据等离子体处理工艺的种类适当地控制、设定多极磁场的状态,以便进行良好处理。 | ||
申请公布号 | CN1557017A | 申请公布日期 | 2004.12.22 |
申请号 | CN02818449.1 | 申请日期 | 2002.09.19 |
申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 小野博夫;达下弘一;本田昌伸;永关一也;林大辅 |
分类号 | H01L21/302 | 主分类号 | H01L21/302 |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
主权项 | 1.一种等离子体处理装置,它包括:容纳被处理基板的处理室;设在所述处理室内,在所述被处理基板上产生用于实施规定的等离子体处理的等离子体的机构;和由多个永久磁体组成的磁体块排列构成,设在所述处理室外,在所述处理室内的所述被处理基板的周围形成规定的多极磁场的磁场形成机构,其特征在于,构成为通过改变所述磁体块的相对位置,可以控制在所述处理室内的所述被处理基板周围形成的多极磁场的强度。 | ||
地址 | 日本东京都 |