| 主权项 |
1.一种存储器的电容器下电极板的制造方法，其特征在于包括下列步骤：提供一半导体基底；在该半导体基底表面定义有源区与外围电路区；在该半导体基底表面形成垫层；在该垫层表面形成遮蔽层；移除部分的该遮蔽层、垫层与基底，在该有源区形成第一深沟槽以及在该外围电路区形成第二深沟槽，其中，该有源区中的该第一深沟槽的数量多于该外围电路区中的该第二深沟槽的数量；形成掺杂质氧化层覆盖该垫层表面并覆盖该第一深沟槽与该第二深沟槽的侧壁与底部；涂布光致抗蚀剂于该掺杂质氧化层表面并填满该第一深沟槽与该第二深沟槽内部；实施曝光工艺，将光源以与法线成25-90度对该绝缘层表面的该光致抗蚀剂进行曝光，但不使该光源照射该第一深沟槽与该第二深沟槽内的该光致抗蚀剂；去除部分的光致抗蚀剂，其中，该掺杂质氧化层表面的该光致抗蚀剂因被曝光而被去除，该第一深沟槽与第二深沟槽内的残留该光致抗蚀剂则因未被曝光而被保留；去除该第一深沟槽与该第二深沟槽内的部分该光致抗蚀剂；依序去除该第一深沟槽与该第二深沟槽内高于前述光致抗蚀剂顶部表面的该掺杂质氧化层，曝露出该第一深沟槽与该第二深沟槽内壁的部分该半导体基底表面；去除该第一深沟槽与该第二深沟槽内残留的该光致抗蚀剂；形成氧化层覆盖该垫层表面、该第一深沟槽与该第二深沟槽的侧壁、残留的该掺杂质氧化层的表面；实施驱入工艺，将该掺杂质氧化层内的杂质驱入该半导体基底内以形成电容器下电极板；以及去除前述的氧化层、该掺杂质氧化层与该垫层。 |
