制造半导体器件的方法

摘要

制造具有多层互连的半导体器件的方法，在该方法中，在形成通孔之后，用包含能够与铜类金属沾污物形成络合物的络合剂的清洗液清洗通孔内部。该方法可有效地去除粘附于掩埋布线的通孔和凹槽内壁上的铜类沾污物，可解决在多层互连中的漏电流和器件误操作的问题。

主权项

1.制造半导体器件的方法，包括下列步骤：(A)在半导体衬底上形成由包括铜或铜合金的金属材料构成的金属布线，(B)在金属布线上形成层间绝缘膜，(C)通过干腐蚀在层间绝缘膜中形成到达金属布线的通孔，(D)使用含有水和能够与沾污物形成络合物的络合剂的清洗液，去除由金属材料和/或其化合物构成且作为干腐蚀的结果粘附于通孔内壁上的沾污物，(E)在通孔的内壁上形成阻挡金属膜，然后在所获得的整个衬底表面上形成导电膜，以填充通孔，和(F)通过腐蚀或化学机械抛光，去除形成于通孔外部的导电膜和阻挡金属膜的部分，获得平坦的表面。