发明名称 |
相变存储器单元器件的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种相变存储器单元器件的制备方法,属于微电子技术领域。其特征在于,首先在衬底材料上沉积底电极材料,再沉积电介质材料,然后通过机械方法,用三棱锥,圆锥等多种形状和钻石,金刚石等不同材料的压头在薄膜上打出小孔,使小孔穿透电介质层,尖头部和底电极材料接触。接着,沉积薄薄一层相变材料,表面抛光。接着使用剥离技术,即涂上光刻胶,曝光显影使小孔露出来,然后沉积上电极材料,去胶制成。优点在于相变材料和底电极接触面很小,可达几百纳米,所以很小的电流就可以产生很大的热量,使相变材料在很短时间内就可发生相变。用本发明制备的器件具有较小的功耗,很短的响应时间,对于器件的性能有很大的提高。 |
申请公布号 |
CN1556550A |
申请公布日期 |
2004.12.22 |
申请号 |
CN200410015743.2 |
申请日期 |
2004.01.09 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
宋志棠;夏吉林;张挺;封松林;陈宝明 |
分类号 |
H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00 |
主分类号 |
H01L45/00 |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 |
代理人 |
潘振甦 |
主权项 |
1.一种相变存储器单元器件的制备方法,包括衬底材料的清洗,其特征在于:(1)在清洗后的衬底上依次沉积底电极材料和电介质材料;(2)然后通过机械压头在电介质层打孔,孔的深度大于电介质层深度,使孔尖和底电极接触;(3)最后沉积多元相变材料,表面抛光后通过剥离技术使小孔暴露出来,再沉积上电极。 |
地址 |
200050上海市长宁区长宁路865号 |