发明名称 | 高亮度发光二极管 | ||
摘要 | 本实用新型是关于一种高亮度发光二极管(LightEmitting Diode,LED)。本实用新型的发光二极管包括一磷化镓光窗及一镜面反射层,可使亮度大为提高;并特别包括于将一完成LED结构与制程的磊晶层上贴附(bonding)一玻璃基板,再将磊晶用的暂时基板移除,并镀上镜面反射层,且于镜面反射层底部贴附(bonding)一永久基板后,而后可将玻璃基板去除。藉由此二次贴附程序,可维持镜面反射率,并保有厚视窗层于发光面上,更可提供一散热佳的基板,可使制造过程更简易、快速、而又达高效率、高功率的LED。 | ||
申请公布号 | CN2665935Y | 申请公布日期 | 2004.12.22 |
申请号 | CN03249040.2 | 申请日期 | 2003.09.25 |
申请人 | 洪瑞华 | 发明人 | 洪瑞华;武东星;江彦志;邱麒颖 |
分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 北京万科园知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 张亚军;陈宪忠 |
主权项 | 1.一种高亮度发光二极管,其特征在于包括:一永久基板;一镜面反射层形成于该永久基板上;一n型披覆层,形成于该镜面反射层上,且其一侧表面以蚀刻去除部份;一活性发光层,具有量子井结构,并形成于该n型披覆层上未蚀刻的表面;一p型披覆层,形成于该活性发光层上;一p型磷化镓p-GaP层形成于该p型披覆层上;一金属接触层形成于该磷化镓层上;一p型欧姆接触电极形成于该金属接触层上;及一n型欧姆接触电极形成于该n型披覆层经蚀刻的表面。 | ||
地址 | (不公告专利权人地址) |