发明名称 与集成电路工艺兼容的三维微结构模压刻蚀方法
摘要 本发明公开了一种与集成电路工艺兼容的三维微结构模压刻蚀方法。该方法是利用叠层原理制造具有任意曲面的三维模压刻蚀模具,然后将该三维模具对衬底上的软质材料层进行模压刻蚀,得到微系统的三维结构。该方法的关键技术三维模具的制造,是通过叠层制造的方法获得,其中每一单层的制作属于二维平面结构制造,因此与集成电路工艺完全兼容;将对准过程集中在三维模具的制作过程中一次完成,降低了模压刻蚀工艺对套刻对准需求,提高了生产效率。此外,可以使用一块三维模具对不同材料多次重复使用,进行大批量生产,进一步降低了成本。
申请公布号 CN1556027A 申请公布日期 2004.12.22
申请号 CN200410012626.0 申请日期 2004.01.06
申请人 华中科技大学 发明人 王志勇;刘胜;张鸿海;贺德建;胡晓峰;汪学方;陈志凌;马斌
分类号 B81C5/00;H01L21/306 主分类号 B81C5/00
代理机构 华中科技大学专利中心 代理人 朱仁玲
主权项 1.一种与集成电路工艺兼容的三维微结构模压刻蚀方法,其特征在于,包括:(1)根据三维结构模型,在计算机中生成模具的三维CAD模型,然后将该三维模型切片,形成记录一系列模具截面薄层信息的切片文件;(2)以上述各层截面几何形状的切片文件,生成对应截面薄层的掩膜文件,并按照单层掩模文件生成二维工作台的数控代码;(3)利用数控代码驱动光刻设备,对单层模板上的图形转移材料进行二维图形曝光、显影,结合干法刻蚀生成承载三维结构的某一截面层图案的模板;(4)重复步骤(3)制作所有模板薄层,将各薄层模板按照对准标记组合在一起,形成三维模具,并对模具表面进行处理,以提高模压刻蚀的成型精度;(5)利用上述三维模具对衬底上的软质材料层进行模压;(6)针对不同的软质材料,采用光照射固化或者热源固化,然后将模具移开;(7)去掉衬底上没有固化的软质材料,通过干法刻蚀将衬底层底残余已固化的软质材料刻蚀去除,即可形成与模板形状相反的三维微结构。
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