一种用于硅微电容传声器中的芯片

摘要

本实用新型涉及一种用于硅微电容传声器中的芯片及其制备方法。该芯片包括一n－型硅基片，在其正面扩散硼形成p+型搀杂层，在该层上面沉积二氧化硅、刻蚀成隔离层，在其上附着一振动膜层，振动膜层之上沉积金属铝膜，并光刻、腐蚀成圆形铝膜和方形铝电极；在硅基片的背面有一层氮化硅保护膜，从硅基片的底面腐蚀出一梯形缺口，该梯形缺口的深度至p+型搀杂层，并垂直于p+型搀杂层地方向上腐蚀出声学孔形成穿孔背板，穿孔背板与氮化硅做的振动膜层之间为空气隙。本实用新型采用的工艺方法，制成圆形结构的气隙层、振动膜和圆环形隔离层，减小了振动膜的应力，大大提高了振动膜的灵敏度，避免了时效的破裂。

主权项

1.一种用于硅微电容传声器中的芯片；包括一n-型硅基片(1)，在硅基片(1)的正面扩散硼形成p+型搀杂层(3)，在p+型掺杂层(3)上面通过沉积二氧化硅和光刻、腐蚀成隔离层(4)，在其上附着一层氮化硅做的振动膜层(6)，振动膜层(6)之上沉积并光刻、腐蚀成圆形金属铝膜和方形的金属铝电极(9)；在硅基片(1)的背面有一层氮化硅保护膜(10)，从硅基片(1)的底面腐蚀出一梯形缺口，该梯形缺口的深度至p+型搀杂层(3)，并在垂直于p+型搀杂层(3)上腐蚀出声学孔(7)形成一穿孔背板，穿孔背板与振动膜层(6)之间为空气隙(8)；其特征在于：所述的隔离层(4)为圆环状，其厚度为0.5～6微米，内径为500～3000微米，径向宽度为50～150微米；所述的空气隙(8)为圆形，其厚度是圆环形隔离层(4)和被腐蚀掉的氧化锌层的厚度之和，为0.6～7微米；所述的振动膜层(6)为圆形，其厚度为0.1～1微米，直径为500-3300微米。