2T－1C铁电随机存取存储器及其运行方法

摘要

一种2T-1C FRAM，其每个单元都包括两个晶体管和一个铁电电容器，以便不用开关操作，利用与两个晶体管的p-n结一起被利用的铁电电容器的“充电”和“放电”进行写/读操作，因而避免了2T-1C FRAM中例如疲劳和印记等退化问题。

主权项

1.一种2T-1C铁电随机存取存储器，包括：具有多个通过用第一杂质掺杂形成的位阱的半导体衬底；每个都有两个晶体管和一个电容器的多个存储单元；多个电连接于存储单元的连线；多个假电容器，其中所说两个晶体管包括：通过用第二杂质掺杂每个位阱中的半导体形成的源；通过用第二杂质分别掺杂每个位阱内的半导体形成的第一漏和第二漏，它们之间具有预定间隔，以便在第一方向与所说源排成一排；第一栅，形成于在源和第一漏之间的第一沟道上形成的绝缘层上；第二栅，形成于在第一漏和第二漏之间的第二沟道上的绝缘层上，其中所说一个电容器包括：下电极，形成于在源上形成的绝缘层上；形成于下电极上的铁电层；形成于铁电层上的上电极，其中所说连线包括：与第一栅连接的第一字线，所说第一栅设置在每个存储单元内第一方向上；与设置在垂直于第一方向的第二方向上的存储单元内的第一漏连接的位线，各假电容器共同与之连接；与设置在第二方向上的存储单元的第二栅连接的第二字线；与设置在第二方向上的存储单元的第二漏连接的探测线；连接每个单元中的源和下电极的接触栓塞；与设置在第二方向的存储单元的上电极连接的板极线。