| 发明名称 | 一种制作半导体器件的工艺方法 | ||
| 摘要 | 通过以SiCl<SUB>2</SUB>H<SUB>2</SUB>还原WF<SUB>6</SUB>生长硅化钨WSi<SUB>x</SUB>(9)，并控制WF<SUB>6</SUB>与SiCl<SUB>2</SUB>H<SUB>2</SUB>之间的流量比，使得在最初阶段的组分比率x在2.0至2.2区域，以便在掺杂多晶硅(8)上形成子晶，并在700℃至850℃下使之受到热处理，从取向的硅化钨晶粒生长得比具有<101>取向的硅化钨晶粒快；硅化钨WSi<SUB>x</SUB>强有力地附着于掺杂多晶硅上，并且在热处理期间使异常氧化受到限制。 | ||
| 申请公布号 | CN1181521C | 申请公布日期 | 2004.12.22 |
| 申请号 | CN01118571.6 | 申请日期 | 2001.06.04 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 刘紫园 |
| 分类号 | H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/285 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈瑞丰 |
| 主权项 | 1.一种制作半导体器件的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：提供具有硅层的基片；用氟化钨源气体和氯化硅源气体构成的非惰性源气体在所述硅层上形成硅化钨层，在与所述硅层分界面处的至少一部分硅化钨层具有组分WSix，其中x在2.0至2.2范围；所述硅化钨层加热到700℃至850℃，以生成包含<001>硅化钨晶粒和<101>硅化钨晶粒的硅化钨层，其中，所述<001>硅化钨晶粒包括所述硅化钨层最大部分。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||