| 主权项 |
1.一种半导体装置,此种半导体装置具有一主动区(3)及一金属化层(4),这个金属化层(4)至少由第一金属平面(5)及介于主动区(3)及金属化层(4)之间的连接线(8)所构成,其中该至少一金属平面(5)系埋在一金属间电介质(11)内,这种半导体装置的特征为:金属化层内(4)有一紫外线保护平面(10)。2.如申请专利范围第1项的半导体装置,其特征为:紫外线保护平面(10)系以金属制成,且其平面造型可以适应金属平面(5)的电学性质。3.如申请专利范围第2项的半导体装置,其特征为:紫外线保护平面(10)位于主动区(3)及金属化层(4)之间,且紫外线保护平面(10)系埋在金属间电介质(11)内。4.如申请专利范围第1项的半导体装置,其特征为:紫外线保护平面(10)系以不导电且紫外线无法穿透的材料制成。5.如申请专利范围第4项的半导体装置,其特征为:紫外线保护平面(10)系以氮氧化矽制成。6.如申请专利范围第4项的半导体装置,其特征为:紫外线保护平面(10)系以氮化矽制成。7.如申请专利范围第4项的半导体装置,其特征为:紫外线保护平面(10)系以未掺杂的矽制成。8.如申请专利范围第4-6项中之任一项的半导体装置,其特征为:紫外线保护平面(10)位于主动区(3)及金属化层(4)之间。9.如申请专利范围第1-7项中之任一项的半导体装置,其特征为:金属间电介质(11)的金属平面(5)至少有一系由不导电且紫外线无法穿透的材料所构成。10.如申请专利范围第4-7项中之任一项的半导体装置,其特征为:紫外线保护平面(10)位于两个相邻的金属平面(5)之间。11.一种制造半导体装置的方法,该半导体装置具有一主动区(3)及一金属化层(4),该金属化层(4)至少由第一金属平面(5)及介于该主动区(3)及该金属化层(4)之间的连接线(8)所构成,其中该至少一金属平面(5)系埋在一金属间电介质(11)内以及该金属化层(4)整合有一紫外线保护平面(10),其特征为:在加上金属平面(5)之前,将包含有一金属材料的紫外线保护平面(10)设置在金属化层(4)之前,或是在加上金属平面(5)之时,将包含有一不导电且紫外线无法穿透的材料的紫外线保护平面(10)设置在金属化层(4)之内。图式简单说明:第1图:第一种实施方式的示意图。第2图:第二种实施方式的示意图。第3图:第三种实施方式的示意图。第4图:对具有紫外线保护平面及没有紫外线保护平面的NROM记忆胞元以紫外线照射的测试结果。 |
