| 主权项 |
1.一种包含自供应电压及接地节点以顺向偏压本体之半导体电路,包括:一接地电压节点,用以提供接地电压(Vss);一供应电压节点,用以提供供应电压(Vcc);多个n通道场效电晶体(nFET电晶体)(318),其具有耦合至接地电压节点之源极(S),其闸极(G)耦合至该半导体电路之一输入节点,且其汲极(D)耦合至该半导体电路之一输出节点;及多个p通道场效电晶体(pFET电晶体)(316),其具有耦合至供应电压节点之源极(S),其闸极(G)耦合至该半导体电路之该输入节点,且其汲极(D)耦合至该半导体电路之该输出节点,并具有直接耦合至该接地电压节点之n型本体(B),以顺向主体偏压pFET电晶体。2.如申请专利范围第1项之电路,其中该等nFET电晶体具有直接耦合至该供应电压之p型主体(B)以顺向主体偏压该nFET电晶体。3.如申请专利范围第1项之电路,其中该等n型本体系透过主体抽头(BT)耦合至该接地电压节点。4.如申请专利范围第1项之电路,其中该等p型主体系透过主体抽头(BT)耦合至该供应电压节点。5.如申请专利范围第1项之电路,其中具有未耦合至该接地电压节点之源极之额外nFET电晶体及具有未耦合至该供应电压节点之源极之额外pFET电晶体。图式简单说明:图1是:可能使用于本发明之一实施例中的电晶体之一电路图表示法。图2是:图1之电晶体之一概略横截面图。图3是:在图1之电晶体中,针对顺向偏压,零位偏压(zero bias),以及反向偏压的驱动电流Ids对闸极到源极电压Vgs之一曲线图表示法。图4是:根据本发明之一实施例的一种反相器电路之一电路图表示法。图5是:在根据本发明之一实施例的一种双重井区(twin well)布置中,一半导体晶粒的一部份之一概略横截面图。图6是:在根据本发明之一实施例的一种三重井区(triple well)布置中,一半导体晶粒的一部份之一概略横截面图。图7是:根据本发明之一实施例的一种反及闸(NANDgate)电路之一电路图表示法。图8是:根据本发明之一实施例的一种反及闸(NAND)电路之一电路图表示法。图9是:根据本发明之一实施例的一种反相器电路之一电路图表示法。图10是:两个顺向偏压解耦合(decoupling)电晶体之一电路图表示法。图11是:显示在一井区中的多重电晶体之一半导体晶粒的一部份之一概略横截面图。图12是:根据本发明之一实施例,包括一种选择性接收顺向偏压操作的功能单元区块(functional unit block,简称FUB)之电路之一方块图表示法。图13是:图解说明将多重电压施加到一电路中的复数个电晶体本体之一方块图表示法。图14是:图解说明将多重电压施加到一电路中的复数个电晶体本体之一方块图表示法。图15是:根据本发明之一实施例,图解说明减少软性出错率(soft error rate)之一半导体晶粒的一部份之一横截面概略表示法。图16是:图解说明应用掺杂(doping)及斜角植入(angledimplants)之一半导体晶粒的一部份之一横截面概略表示法。 |
