| 主权项 |
1.一种多晶片封装体,包含:一载板,具有一上表面、一下表面及一开口;一第一晶片,具有一第一主动表面及一第一背面,其中该第一晶片系藉复数个第一导电凸块与该载板之该上表面覆晶接合,且该第一晶片系覆盖该开口;一第二晶片,具有一第二主动表面及一第二背面,其中该第二晶片系藉复数个第二导电凸块与该第一晶片之该第一主动表面覆晶接合;以及一加劲元件,系设置于第二晶片之背面及该载板之该下表面。2.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装体,其中该加劲元件之热膨胀系数系介于该晶片之热膨胀系数与该载板之热膨胀系数之间。3.如申请专利范围第2项所述之多晶片封装体,其中该晶片之热膨胀系数为约410-6ppm/℃。4.如申请专利范围第2项所述之多晶片封装体,其中该载板之热膨胀系数为约1610-6ppm/℃。5.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装体,更包含一黏着层,该黏着层系设置于该加劲元件与该第二晶片之该背面间6.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装体,更包含一黏着层,该黏着层系设置于该加劲元件与该载板之该下表面间。7.如申请专利范围第5项所述之多晶片封装体,其中该黏着层系为一导热胶。8.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装体,其中该加劲元件系为一虚晶片。9.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装体,其中该加劲元件之材质系包含铜金属。10.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装体,其中该加劲元件之材质系包含铝金属。11.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装体,其中更包含一底胶,该底胶系至少包覆该第一导电凸块。12.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装体,其中更包含一底胶,该底胶系至少包覆该第二导电凸块。13.如申请专利范围第1项所述之多晶片封装体,其中更包含一散热片设置于载板上。14.如申请专利范围第13项所述之多晶片封装体,其中该散热片系为一环状金属,并环绕于第一晶片之周边设置。15.如申请专利范围第13项所述之多晶片封装体,其中该散热片系为一条状金属并设置于第一晶片之外围。16.如申请专利范围第13项所述之多晶片封装体,其中该散热片之材质系包含铜金属。17.如申请专利范围第13项所述之多晶片封装体,其中该散热片之材质系包含铝金属。18.如申请专利范围第13项所述之多晶片封装体,其中该散热片系为一虚晶片。19.如申请专利范围第13项所述之多晶片封装体,其中该散热片系具有一晶片连接部及一支撑部,该支撑部系与该载板上表面相连接,且该晶片连接部系与该第一晶片相接合。20.如申请专利范围第19项所述之多晶片封装体,更包含一黏着层,该黏着层系设置于该散热片之该晶片连接部与该第一晶片之该背面间。21.如申请专利范围第19项所述之多晶片封装体,更包含一黏着层,该黏着层系设置于该支撑部与该载板上表面间。图式简单说明:图1为一示意图,显示习知一种多晶片封装体的剖面示意图。图2为一示意图,显示本发明第一较佳实施例之多晶片封装体之剖面示意图。图3为一示意图,显示本发明第二较佳实施例之多晶片封装体之剖面示意图。图4为一示意图,显示本发明第三较佳实施例之多晶片封装体之剖面示意图。 |
