| 主权项 |
1.一种制作瓶状深沟渠之方法,包含有:提供一基底,其上设有一衬垫层;蚀刻该衬垫层以及该基底,形成一深沟渠,其具有垂直侧壁以及底面;于该深沟渠垂直侧壁以及底面上沈积一氮化矽保护层;以离子轰击部分位于该深沟渠上部之该氮化矽保护层;选择性地蚀刻掉被离子轰击之该氮化矽保护层,暴露出该深沟渠上部之该基底,且留下之位于该深沟渠下部之该氮化矽保护层构成一氮化矽遮罩;氧化该深沟渠上部之暴露基底,形成一颈部氧化矽层;选择性地去除该氮化矽遮罩;以及利用该颈部氧化矽层为蚀刻遮罩,等向性蚀刻未被该颈部氧化矽层覆盖之该深沟渠垂直侧壁以及底面,如此形成一瓶状深沟渠。2.如申请专利范围第1项所述之制作瓶状深沟渠之方法,其中该离子轰击系利用惰性气体。3.如申请专利范围第2项所述之制作瓶状深沟渠之方法,其中该惰性气体包括氩及氮气。4.如申请专利范围第1项所述之制作瓶状深沟渠之方法,其中该离子轰击系采斜角度方式进行。5.如申请专利范围第1项所述之制作瓶状深沟渠之方法,其中该离子轰击系采3至7左右的斜角度方式进行。6.如申请专利范围第1项所述之制作瓶状深沟渠之方法,其中该离子轰击的能量约为20KeV左右。7.如申请专利范围第1项所述之制作瓶状深沟渠之方法,其中该离子轰击的剂量约为1E15至1E16 atoms/cm2左右。8.如申请专利范围第1项所述之制作瓶状深沟渠之方法,其中该衬垫层在深沟渠蚀刻时同时被蚀刻形成一环形缺口,且该氮化矽保护层填入该环形缺口中。图式简单说明:图一至图九为本发明较佳实施例制作瓶状沟渠之剖面示意图。 |
