| 主权项 |
1.一种多层光碟,其至少具有依序层叠而形成于一基板上的第一资讯记录部、具光透过性之中间层、以及第二资讯记录部,且从第一资讯记录部侧照射雷射光,其特征在于:第一资讯记录部至少具有一相变化记录材料层,且该相变化记录材料层以Sb和Te为主成分,且其比例以原子比计满足2.3<Sb/Te≦4.0之相变化记录材料所形成。2.如申请专利范围第1项所述之多层光碟,其特征在于:该雷射光波长在385nm以上450nm以下。3.如申请专利范围第1项所述之多层光碟,其特征在于:该第二资讯记录部至少具有一由相变化记录材料所形成之相变化记录材料层,且该材料至少以Sb和Te为主成分,且其原子比之比例满足2.3<Sb/Te≦4.0。4.如申请专利范围第1项所述之多层光碟,其特征在于:该相变化记录材料层中,添加有至少一种以上之Ge、In、Zn、Sn、Ag、与Au其中之一。5.如申请专利范围第1项所述之多层光碟,其特征在于:该第一资讯记录部之该相变化记录材料层,具有一为一对介电层所夹之构造,且该介电层具有光透过性。6.如申请专利范围第5项所述之多层光碟,其特征在于:在此对介电层中,至少有一介电层,为一含有一比ZnS-SiO2还高热传导率之介电材料的单一层,或是一由具有高热传导率之介电材料和其它透明介电材料所成的叠积膜。7.如申请专利范围第6项所述之多层光碟,其特征在于:该具有高热传导率之介电材料,系以Si3N4、AlN、SiC、BeO、BN中至少一种为主要成分。8.如申请专利范围第1项所述之多层光碟,其特征在于:该第一资讯记录部在所有记录轨道记录完资讯后之平均透光率(Tavg)满足下列式1:70%≧Tavg≧40%...式1 。9.如申请专利范围第1项所述之多层光碟,其特征在于:该相变化记录材料之结晶时的第一资讯记录部的光吸收率(A1c),以及非晶质时之第一资讯记录部的光吸收率(A1a),满足下列式2:1.7≧A1c/A1a≧0.8...式2 。10.如申请专利范围第1项所述之多层光碟,其特征在于:该相变化记录材料之非晶质时的第一资讯记录部的光反射率,比结晶时的第一资讯记录部的光反射率还高。图式简单说明:图1为一显示应用本发明而成之光碟基本结构截面图。图2为一显示第一资讯记录部周边之层结构的截面图。图3为一显示第一资讯记录部之一层结构例的示意图。图4为一显示第一资讯记录部之一其它层结构例的示意图。图5为一显示第一资讯记录部之又其它层结构例的示意图。图6为一显示第一资讯记录部之一层结构例,且光透过率相当高之层结构例的示意图。图7为一显示第一资讯记录部之一层结构例,且光透过率相当低之层结构例的示意图。图8为一显示第二资讯记录部之一层结构例,且光反射率相当高之层结构例的示意图。图9为一显示相变化记录材料之光吸收率相当高,且熔化区域相当广之状态下的示意图。图10为一显示相变化记录材料之光吸收率相当低,且熔化区域较窄之状态下的示意图。图11为一显示Low-to-High型光能量分配的示意图。图12为一显示High-to-Low型光能量分配的示意图。图13为一显示第二资讯记录部之其它层结构例的截面图。图14显示的是当改变材料来形成相变化记录材料层时,传送速率与删除比间之关系。图15显示的是当使用Ge:Te:Sb=2:2:5之材料来形成相变化记录材料层时,每个接物镜NA之传送速率与删除比间之关系。 |
