| 主权项 |
1.一种半导体制造装置用成形材料或元件之包装 材料,该包装材料系至少一种择自聚酯系树脂基材 ,氟素树脂基材,以聚酯系树脂为基材并蒸镀氧化 矽、铝及氧化铝的基材,以氟素树脂为基材并蒸镀 氧化矽、铝或氧化铝的基材,以聚酯系树脂为基材 并贴合铝箔或聚氯化乙烯叉薄膜之基材,以及以氟 素树脂为基材并贴合铝箔或聚氯乙烯叉薄膜之基 材;其中存在于用于面对被包装物侧的表面的粒径 0.2m以上的微粒子为5000个/cm2以下,且在80℃加热 15分钟时所产生的气体的总量(其中,水蒸气除外) 为5ppm以下,且在80℃加热30分钟时所产生的水分的 总量为13ppm以下,并在40℃、90%相对湿度的水蒸气 透过率为30g/cm224hr以下。 2.一种半导体制造装置用成形材料或元件之包装 材料,该包装材料系至少一种择自聚酯系树脂基材 ,氟素树脂基材,以聚酯系树脂为基材并蒸镀氧化 矽、铝及氧化铝的基材,以氟素树脂为基材并蒸镀 氧化矽、铝或氧化铝的基材,以聚酯系树脂为基材 并贴合铝箔或聚氯化乙烯叉薄膜之基材,以及以氟 素树脂为基材并贴合铝箔或聚氯乙烯叉薄膜之基 材;其中附着于以包装材料密封而在40℃、90%相对 湿度的环境下放置24小时后取出的半导体制造装 置用成形材料或元件的粒径0.2m以上的微粒子的 个数的增加比率为150%以下,且将该成形材料或元 件在300℃加热30分钟时所产生的水分产生量的增 加比率为100%以下,并在200℃加热15分钟时所产生的 气体的总量(其中,水蒸气除外)的增加比率为100%以 下。 3.如申请专利范围第1或2项所述的包装材料,其中 半导骷装置用元件为密封材料。 4.如申请专利范围第1或2项所述的包装材料,其中 半导体装置用元件的成形材料为未加硫混合物的 生胶弹性体及加硫用配合材料。 5.一种半导体制造装置用成形材料或元件的包装 方法,其特征在于: 系使用如申请专利范围第1或2项所述的包装材料, 而于高纯度气体环境下或一面通入高纯度气体来 进行包装。 6.一种半导体制造装置用成形材料或元件的包装 方法,其特征在于: 系重叠使用至少二种如申请专利范围第1或2项所 述的包装材料,而于高纯度气体环境下或一面通入 高纯度气体来进行包装。 |
