| 主权项 |
1.一种偏光板用保护薄膜,其为于含有基材之偏光 板用保护薄膜中,以X射线光电子分光法分析碳原 子结合状态中,将结合能量最低之波视为第一波 ,比第一波更高结合能量侧之1.600.3eV波视 为第二波,比第一波更高结合能量侧之4.100.3 eV波视为第三波时,于基材之至少一者表面中 之碳Cls的结合状态,与表面开始0.05-1m任意深度 中之内部碳Cls的结合状态为满足下述关系, S-I≧0.1 S=偏光板用保护薄膜基材表面之第二波强度/偏 光板用保护薄膜基材表面之第一波强度, I=偏光板用保护薄膜基材内部之第二波强度/偏 光板用保护薄膜基材内部之第一波强度。 2.如申请专利范围第1项之偏光板用保护薄膜,其中 S≧1.60。 3.如申请专利范围第1项之偏光板用保护薄膜,其中 偏光板用保护薄膜以X射线光电子分光法分析碳原 子结合状态中,将结合能量最低之波视视第一波 ,比第一波更高结合能量侧之1.600.3eV波视 为第二波,比第一波更高结合能量侧之4.100.3 eV波视为第三波时,于偏光板用保护薄膜之至 少一者表面中之碳Cls的结合状态为满足下述关系, T≧0.2 T=偏光板用保护薄膜基材表面之第三波强度/偏 光板用保护薄膜基材表面之第二波强度。 4.如申请专利范围第1项之偏光板用保护薄膜,其中 基材之至少一者面与纯水之接触角为未满55度。 5.如申请专利范围第1项之偏光板用保护薄膜,其中 偏光板用保护薄膜之至少一者面与纯水之接触角 为未满55度。 6.如申请专利范围第1项之偏光板用保护薄膜,其中 基板至少一者面为经电浆处理。 7.如申请专利范围第1项之偏光板用保护薄膜,其为 具有含亲水性高分子化合物之涂布层。 8.如申请专利范围第1项之偏光板用保护薄膜,其中 基材为纤维素酯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚酯薄膜 或聚丙烯酸薄膜。 9.如申请专利范围第1项之偏光板用保护薄膜,其中 偏光板用保护薄膜表面任意10点之中心线平均粗 度Ra之平均値为1nm-80nm,表面任意10点之最大高低差 之平均値为5-80nm。 10.一种偏光板用保护薄膜,其为于含有基材及辅助 层之偏光板用保护薄膜中,以X射线光电子分光法 分析碳原子结合状态中,将结合能量最低之波视 为第一波,比第一波更高结合能量侧之1.600.3 eV波视为第二波,比第一波更高结合能量侧 之4.100.3eV波视为第三波时,于辅助层之至少 一者表面中之碳Cls的结合状态,与表面开始0.05-1 m任意深度中之内部碳Cls的结合状态为满足下述关 系, S′-I′≧0.1 S′=偏光板用保护薄膜辅助层表面之第二波强 度/偏光板用保护薄膜辅助层表面之第一波强度 , I′=偏光板用保护薄膜辅助层内部之第二波强 度/偏光板用保护薄膜辅助层内部之第一波强度 。 11.如申请专利范围第1项之偏光板用保护薄膜,其 为令含有基材之偏光板用保护薄膜中之至少一个 面为经电浆处理。 12.如申请专利范围第10项之偏光板用保护薄膜,其 为令含有基材及辅助层之偏光板用保护薄膜中之 辅助层表面为经电浆处理。 13.一种偏光板用保护薄膜,其为于含有第一偏光板 保护薄膜,偏光镜及第二偏光板保护薄膜之偏光板 中,令第一偏光板保护薄膜及第二偏光板保护薄膜 之至少一者为具有基材,并且于以X射线光电子分 光法分析碳原子结合状态中,将结合能量最低之波 视为第一波,比第一波更高结合能量侧之1. 600.3 eV波视为第二波,比第一波更高结合能 量侧之4.100.3eV波视为第三波时,于基材之至 少一者表面中之碳Cls的结合状态,与表面开始0.05-1 m任意深度中之内部碳Cls的结合状态为满足下述 关系, S-I≧0.1 S=偏光板用保护薄膜基材表面之第二波强度/偏 光板用保护薄膜基材表面之第一波强度, I=偏光板用保护薄膜基材内部之第二波强度/偏 光板用保护薄膜基材内部之第一波强度。 14.一种偏光板用保护薄膜,其为于含有第一偏光板 ,液晶元件及在该第一偏光板和液晶元件更内侧所 设置之第二偏光板之液晶显示装置中, 第一偏光板为具有 第一偏光镜, 于未与液晶元件对向侧之第一偏光镜面上所设置 之第一保护薄膜, 于与液晶元件对向侧之第一偏光镜面上所设置之 第二保护薄膜, 第二偏光板为具有 第二偏光镜, 于未与液晶元件对向侧之第二偏光镜面上所设置 之第三保护薄膜, 于与液晶元件对向侧之第二偏光镜面上所设置之 第四保护薄膜, 且至少第一偏光板保护薄膜,第二偏光板保护薄膜 ,第三偏光板保护薄膜及第四偏光板保护薄膜之至 少一者为具有基材, 并且于以X射线光电子分光法分析碳原子结合状态 中,将结合能量最低之波视为第一波,比第一 波更高结合能量侧之1.600.3eV波视为第二波 ,比第一波更高结合能量侧之4.100.3eV波视为 第三波时,于基材之至少一者表面中之碳Cls的结 合状态,与表面开始0.05-1m任意深度中之内部碳 Cls的结合状态为满足下述关系, S-I≧0.1 S=偏光板用保护薄膜基材表面之第二波强度/偏 光板用保护薄膜基材表面之第一波强度, I=偏光板用保护薄膜基材内部之第二波强度/偏 光板用保护薄膜基材内部之第一波强度。 图式简单说明: 图1 示出大气压电浆处理装置之一例的截面图。 图2 示出连续进行真空电浆处理装置之一例的截 面图。 图3 以火焰处理之电浆处理装置之例。 图4 薄膜之光电子光谱。 |
