| 主权项 |
1.一种转写材,其特征在于,具备: 第1金属层,系作为转写件; 第2金属层,系作为配线图案; 剥离层,系存在于前述第1金属层与第2金属层之间, 以能自前述第1金属层和第2金属层剥离的方式来 贴合;之至少3层, 在前述第1金属层的表层部系形成有与前述配线图 案相对应之形状之凸部; 在前述凸部区域之上,系形成有前述剥离层及前述 第2金属层。 2.如申请专利范围第1项之转写材,其中,前述第1金 属层及第2金属层分别含有择自铜、铝、银及镍所 构成群中之至少一种之金属。 3.如申请专利范围第1项或第2项之转写材,其中,前 述第1金属层及第2金属层系含有同一成分之金属 。 4.如申请专利范围第2项之转写材,其中,前述第1金 属层及第2金属层系由铜箔所构成。 5.如申请专利范围第4项之转写材,其中,前述剥离 层系由能被铜蚀刻液所蚀刻之材料所构成。 6.如申请专利范围第1项或第2项之转写材,其中,前 述第1金属层之前述凸部的高度范围系1~12m。 7.如申请专利范围第1项或第2项之转写材,其中,前 述剥离层的厚度系在1m以下。 8.如申请专利范围第1项或第2项之转写材,其中,前 述剥离层系有机层或金属镀敷层。 9.如申请专利范围第8项之转写材,其中,前述剥离 层系金镀敷层。 10.如申请专利范围第1项或第2项之转写材,其中,前 述第1金属层与第2金属层之隔着剥离层之接着强 度系50gf/cm以下。 11.如申请专利范围第1项或第2项之转写材,其中,前 述第1金属层的厚度范围系4~40m,第2金属层的厚 度范围系1~35m。 12.如申请专利范围第1项或第2项之转写材,系在前 述第2金属层上进一步具备第3金属层。 13.如申请专利范围第12项之转写材,其中,前述第3 金属层的厚度范围系2~30m。 14.如申请专利范围第12项之转写材,其中,前述第1~ 第3金属层系含有同一成分之金属。 15.如申请专利范围第12项之转写材,其中,前述第3 金属层系为金。 16.如申请专利范围第12项之转写材,系在前述第3金 属层上进一步具备第4金属层,且前述第4金属层系 由对腐蚀前述第1至第3金属层之蚀刻液具有化学 安定性之金属成分所构成。 17.如申请专利范围第16项之转写材,其中,前述第4 金属层系由择自金、银、镍、锡、铋、铅以及铜 中之至少一种金属所构成,其厚度范围系1~10m。 18.如申请专利范围第1项或第2项之转写材,系具备 与前述第2金属层作电气连接、采用印刷法所形成 之电路元件。 19.如申请专利范围第18项之转写材,其中,前述电路 元件系含有择自电感器、电容器以及电阻器中之 至少一个元件。 20.如申请专利范围第18项之转写材,其中,前述电路 元件系由含有无机填充剂以及树脂组成物之材料 所构成。 21.如申请专利范围第18项之转写材,其中,前述电路 元件系由含有无机填充剂、有机黏合剂以及可塑 剂之材料所构成。 22.一种转写材,其特征在于,具备: 第1金属层,系作为转写件; 第2金属层,系作为金属配线;之至少两层; 于前述第1金属层上,具备采用印刷法所形成之电 路元件(与前述第2金属层作电气连接)。 23.如申请专利范围第22项之转写材,其中,在前述第 1金属层与第2金属层之间,系具备与前述第1金属层 和第2金属层之间以能剥离之状态被贴合之剥离层 。 24.如申请专利范围第23项之转写材,其中,前述剥离 层的厚度系在1m以下。 25.如申请专利范围第23项或第24项之转写材,其中, 前述剥离层系由有机层或金属镀敷层所构成。 26.如申请专利范围第25项之转写材,其中,前述剥离 层系金镀敷层。 27.如申请专利范围第23项或第24项之转写材,其中, 前述剥离层所致之第1金属层与第2金属层的接着 强度范围系10gf/cm~50gf/cm。 28.如申请专利范围第22~24项中任一项之转写材,其 中,前述电路元件系包含择自电感器、电容器以及 电阻器中之至少一个元件。 29.如申请专利范围第22~24项中任一项之转写材,其 中,前述电路元件系由含有无机填充剂以及树脂组 成物之材料所构成。 30.如申请专利范围第22~24项中任一项之转写材,其 中,前述电路元件系由含有无机填充剂、有机黏合 剂以及可塑剂之材料所构成。 31.如申请专利范围第22~24项中任一项之转写材,其 中,前述第1金属层的厚度范围系4~100m,第2金属层 及电路元件的厚度范围系1~35m。 32.如申请专利范围第22~24项中任一项之转写材,其 中,前述第1金属层的表层部上系形成凹凸; 前述凸部系对应于前述第2金属层之配线图案; 在前述凸部上,形成了在前述第1金属层上之上层 。 33.如申请专利范围第32项之转写材,其中,前述第1 金属层之前述凸部的高度范围系1~12m。 34.如申请专利范围第22~24项中任一项之转写材,其 中,前述第1金属层及第2金属层分别含有择自铜、 铝、银及镍所构成群中之至少一种之金属。 35.如申请专利范围第22~24项中任一项之转写材,其 中,前述第1金属层及第2金属层系含有同一成分之 金属。 36.一种转写材之制造方法,其特征在于, 在第1金属层上形成剥离层; 在前述剥离层上形成第2金属层; 使用化学蚀刻法将前述第2金属层、剥离层以及前 述第1金属层的表层部蚀刻,以将前述第2金属层及 前述剥离层形成出配线图案形状,且在前述第1金 属层的表层部上,形成对应于前述配线图案之形状 的凹凸部。 37.如申请专利范围第36项之转写材之制造方法,系 在前述第2金属层形成后,进行前述蚀刻前: (a)在前述第2金属层上,在使前述第2金属层之表层 露出配线图案的状态下形成阻镀层; (b)在前述第2金属层露出的区域上,用镀敷法形成 第3金属层; (c)剥离前述阻镀层; 之后,利用前述化学蚀刻法,将未形成前述第3金属 层之区域之前述第2金属层、前述剥离层以及前述 第1金属层的表层部加以蚀刻。 38.如申请专利范围第37项之转写材之制造方法,其 中,前述第3金属层系以对前述化学蚀刻法所使用 之蚀刻剂具有化学安定性之金属成分来形成,使前 述第3金属层作为前述化学蚀刻剂时之阻蚀层来作 用。 39.如申请专利范围第38项之转写材之制造方法,其 中,前述第3金属层系以金或银来形成。 40.如申请专利范围第37项之转写材之制造方法,系 在形成前述第3金属层之后、剥离前述阻镀层之前 ,在前述第3金属层上,以对前述化学蚀刻法所使用 之蚀刻剂具有化学安定性之金属成分来形成第4金 属层; 之后,进行前述阻镀层的剥离以及前述化学蚀刻, 将未形成前述第3及第4金属层之区域之前述第2金 属层、前述剥离层以及前述第1金属层的表层部加 以蚀刻。 41.如申请专利范围第40项之转写材之制造方法,其 中,前述第4金属层系以对前述化学蚀刻法所使用 之蚀刻剂具有化学安定性之金属成分来形成,使前 述第4金属层作为前述化学蚀刻剂时之阻蚀层来作 用。 42.如申请专利范围第41项之转写材之制造方法,其 中,前述第4金属层系以金或银来形成。 43.如申请专利范围第36~42项中任一项之转写材之 制造方法,其中,前述第2金属层系以电镀法来形成 。 44.如申请专利范围第36~42项中任一项之转写材之 制造方法,其中,前述第1金属层及第2金属层系由同 一成分之金属所构成。 45.如申请专利范围第36~42项中任一项之转写材之 制造方法,其中,使用前述化学蚀刻法将前述第1金 属层的表层部蚀刻的深度范围系1~12m。 46.如申请专利范围第36~42项中任一项之转写材之 制造方法,系包含将前述第2金属层之表面予以粗 化之制程。 47.如申请专利范围第46项之转写材之制造方法,其 中,前述被表面粗化处理之第2金属层表面之中心 线平均粗度系2m以上。 48.如申请专利范围第36~42项中任一项之转写材之 制造方法,系以与前述第2金属层作电气连接的方 式,藉印刷法来形成电路元件。 49.如申请专利范围第48项之转写材之制造方法,其 中,前述印刷法系网版印刷。 50.如申请专利范围第48项之转写材之制造方法,其 中,前述电路元件系以含有无机填充剂及树脂组成 物之材料所形成。 51.如申请专利范围第48项之转写材之制造方法,其 中,前述电路元件系由含有无机填充剂、有机黏合 剂以及可塑剂之材料所形成。 52.一种转写材之制造方法,其特征在于: 在第1金属层上,让第2金属层形成为配线图案形状; 采用印刷来形成与前述第2金属层作电气连接之电 路元件。 53.如申请专利范围第52项之转写材之制造方法,其 中,前述电路元件系采用网版印刷来形成。 54.如申请专利范围第52项或第53项之转写材之制造 方法,其中,前述第2金属层系采用镀敷法来形成。 55.一种转写材之制造方法,其特征在于: 在第1金属层上,形成剥离层及第2金属层; 将前述第2金属层及剥离层加工成配线图案形状; 采用印刷来形成与前述第2金属层作电气连接之电 路元件。 56.如申请专利范围第55项之转写材的制造方法,其 中,前述电路元件系采用网版印刷来形成。 57.如申请专利范围第55项或第56项之转写材之制造 方法,系使用化学蚀刻法将前述第2金属层及剥离 层加工成配线图案形状,且在第1金属层的表层部, 形成对应于前述配线图案形状之凸部的凹凸部。 58.如申请专利范围第57项之转写材之制造方法,系 在前述第2金属层形成后、进行前述蚀刻前: (a)在前述第2金属层上,使前述第2金属层之表层露 出配线图案的状态下形成阻镀层; (b)在前述第2金属层露出的区域上,用镀敷法形成 第3金属层; (c)剥离前述阻镀层; 之后,利用前述化学蚀刻法,将未形成前述第3金属 层之区域之前述第2金属层、前述剥离层以及前述 第1金属层的表层部加以蚀刻。 59.如申请专利范围第58项之转写材之制造方法,其 中,前述第3金属层系以对前述化学蚀刻法所使用 之蚀刻剂具有化学安定性之金属成分来形成,使前 述第3金属层作为前述化学蚀刻剂时之阻蚀层来作 用。 60.如申请专利范围第59项之转写材之制造方法,其 中,前述第3金属层系以金或银来形成。 61.如申请专利范围第58项之转写材之制造方法,系 在形成前述第3金属层之后、剥离前述阻镀层之前 ; 于前述第3金属层上,以对前述化学蚀刻法所使用 之蚀刻剂具有化学安定性之金属成分来形成第4金 属层; 之后,进行前述阻镀层的剥离以及前述化学蚀刻, 将未形成前述第3及第4金属层之区域之前述第2金 属层、前述剥离层以及前述第1金属层的表层部加 以蚀刻。 62.如申请专利范围第61项之转写材之制造方法,其 中,前述第4金属层系以对前述化学蚀刻法所使用 之蚀刻剂具有化学安定性之金属成分来形成,使前 述第4金属层作为前述化学蚀刻剂时之阻蚀层来作 用。 63.如申请专利范围第62项之转写材之制造方法,其 中,前述第4金属层系以金或银来形成。 64.如申请专利范围第57项之转写材之制造方法,其 中,前述第2金属层系以电镀法来形成。 65.如申请专利范围第57项之转写材之制造方法,其 中,前述第1金属层及第2金属层系由同一成分之金 属所构成。 66.如申请专利范围第57项之转写材之制造方法,其 中,使用前述化学蚀刻法将前述第1金属层的表层 部蚀刻的深度范围系1~12m。 67.如申请专利范围第57项之转写材之制造方法,系 包含将前述第2金属层之表面予以粗化之制程。 68.如申请专利范围第67项之转写材之制造方法,其 中,前述之被表面粗化处理之第2金属层表面之中 心线平均粗度系2m以上。 69.一种配线基板,系具备: 电气绝缘性基板;以及 利用申请专利范围第1~21项中任一项之转写材在前 述电气绝缘性基板的至少一主面上所形成之配线 图案;其特征在于, 前述配线图案系被形成于前述主面所形成之凹部 内。 70.如申请专利范围第69项之配线基板,其中,前述电 气绝缘性基板系具备填充有导电性组成物之贯通 孔; 前述配线图案系与前述导电性组成物作电气连接 。 71.如申请专利范围第69项或第70项之配线基板,其 中,前述凹部的深度范围系1~12m。 72.如申请专利范围第69项或第70项之配线基板,其 中,前述电气绝缘性基板系包含无机填充剂及热硬 化性树脂组成物,并具备填充有导电性组成物之贯 通孔。 73.如申请专利范围第72项之配线基板,其中,前述无 机填充剂系择自Al2O3、MgO、BN、AlN及SiO2所构成群 中之至少一种之无机填充剂; 前述无机填充剂的比例系70~95重量%; 前述热硬化性树脂组成物之比例系5~30重量%。 74.如申请专利范围第69项或第70项之配线基板,其 中,前述电气绝缘基板系对择自玻璃纤维之织布、 玻璃纤维之不织布、耐热有机纤维之织布及耐热 有机纤维之不织布所构成群中之至少一种之补强 材,含浸热硬化性树脂组成物所构成者。 75.如申请专利范围第69项或第70项之配线基板,其 中,前述电气绝缘性基板系由陶瓷所构成。 76.如申请专利范围第75项之配线基板,其中,前述淘 瓷系含有择自Al2O3、MgO、ZrO2、TiO2、SiO2、BeO、BN、 CaO及玻璃所构成群中之至少一种成分,或是含有Bi- Ca-Nb-O之陶瓷。 77.如申请专利范围第69项或第70项之配线基板,系 进一步于前述主面的凹部内所形成的配线图案上, 具备由镀敷法所形成之金属层。 78.如申请专利范围第69项或第70项之配线基板,系 具备与形成于前述主面之凹部内之配线图案连接 之半导体元件,前述半导体元件之凸块系对位于前 述凹部而被覆晶接合。 79.一种多层配线基板,系积层复数之配线基板而构 成内通孔构造;其特征在于,于至少一层系具备申 请专利范围第69~78项中任一项之配线基板。 80.如申请专利范围第79项之配线基板,其中, 前述复数之配线基板之至少一片为具有电气绝缘 性基板(含有陶瓷)之陶瓷配线基板; 前述陶瓷配线基板之至少一者,其主面之至少一侧 系具有形成为凸状之配线图案; 积层在形成有前述凸状之配线图案之主面之配线 基板系一复合配线基板,该复合配线基板具备电气 绝缘基板(含有热硬化性树脂组成物); 前述凸状之配线图案系被埋设于前述复合配线基 板之主面。 81.如申请专利范围第80项之配线基板,其中,前述陶 瓷配线基板之烧结温度系1050℃以上。 82.如申请专利范围第79项之配线基板,其中,前述复 数之配线基板之至少二者为具有电气绝缘基板(含 有陶瓷)之陶瓷配线基板; 前述陶瓷配线基板中之至少一者系含有与另一陶 瓷配线基板不同的陶瓷材料; 在彼此含有不同陶瓷材料的陶瓷基板之间,配置着 具有电气绝缘基板(含有热硬化性树脂组成物)的 配线基板。 83.如申请专利范围第79项之配线基板,其中,前述复 数之配线基板之至少最上层与最下层系复合配线 基板,该复合配线基板具备电气绝缘基板(含有热 硬化性树脂组成物); 其内层系具备陶瓷配线基板,该陶瓷配线基板具有 电气绝缘基板(含有陶瓷)。 84.一种配线基板,其特征在于,具备: 电气绝缘性基板; 采用申请专利范围第22~35项中任一项之转写材在 前述电气绝缘性基板的至少一主面上所形成之配 线图案及电路元件; 前述电路元件系与前述配线图案作电气连接,前述 电路元件及前述配线图案系被埋设于前述主面。 85.如申请专利范围第84项之配线基板,其中,前述电 气绝缘性基板系具有填充着导电性组成物之贯通 孔; 前述配线图案系与前述导电性组成物作电气连接 。 86.如申请专利范围第84项或第85项之配线基板,其 中,前述电气绝缘性基板系含有无机填充剂及热硬 化性树脂组成物,且具备填充有导电性组成物之贯 通孔。 87.如申请专利范围第86项之配线基板,其中,前述无 机填充剂系择自Al2O3、MgO、BN、AlN及SiO2所构成群 中之至少一种之无机填充剂; 前述无机填充剂的比例系70~95重量%; 前述热硬化性树脂组成物之比例系5~30重量%。 88.如申请专利范围第84项或第85项之配线基板,其 中,前述电气绝缘性基板系对择自玻璃纤维之织布 、玻璃纤维之不织布、耐热有机纤维之织布及耐 热有机纤维之不织布中之至少一种之补强材含浸 热硬化性组成物所构成者。 89.如申请专利范围第84项或第85项之配线基板,其 中,前述电气绝缘性基板系由陶瓷材料所构成。 90.如申请专利范围第75项之配线基板,其中,前述陶 瓷材料系含有择自Al2O3、MgO、ZrO2、TiO2、SiO2、BeO 、BN、CaO及玻璃所构成群中之至少一种之陶瓷,或 是含有Bi-Ca-Nb-O之陶瓷。 91.一种多层配线基板,系积层复数之配线基板而构 成内通孔构造;其特征在于,其中至少一层系具备 申请专利范围第84~90项中任一项之配线基板。 92.如申请专利范围第91项之配线基板,其中,前述复 数之配线基板之至少一者为具有电气绝缘基板(含 有陶瓷)之陶瓷配线基板; 前述陶瓷配线基板之至少一者,其主面之至少一侧 系具有形成为凸状之配线图案; 积层在形成有前述凸状之配线图案之主面之配线 基板系一复合配线基板,该复合配线基板具备电气 绝缘基板(含有热硬化性树脂组成物); 前述凸状之配线图案系被埋设于前述复合配线基 板之主面。 93.如申请专利范围第92项之配线基板,其中,前述陶 瓷配线基板之烧结温度系1050℃以上。 94.如申请专利范围第91项之配线基板,其中,前述复 数之配线基板之至少二者为具有电气绝缘基板(含 有陶瓷)之陶瓷配线基板; 前述陶瓷配线基板中之至少一者系含有与另一陶 瓷配线基板不同的陶瓷材料; 在彼此含有不同陶瓷材料的陶瓷基板之间,配置着 具有电气绝缘基板(含有热硬化性树脂组成物)的 配线基板。 95.如申请专利范围第91项之配线基板, 其中,前述复数之配线基板之至少最上层与最下层 系复合配线基板,该复合配线基板具备电气绝缘基 板(含有热硬化性树脂组成物); 其内层系具备陶瓷配线基板,该陶瓷配线基板具有 电气绝缘基板(含有陶瓷)。 96.一种配线基板之制造方法,系采用申请专利范围 第1~21项中任一项之转写材来制造配线基板;其特 征在于: 将前述转写材之至少配线图案金属层(含有第2金 属层)之形成侧,压接于未硬化状态之片状基材中 之至少一主面, 藉由前述剥离层,将贴合于前述第2金属层之前述 第1金属层自前述第2金属层剥离,来将前述配线图 案金属层转写至前述片状基材。 97.如申请专利范围第96项之配线基板之制造方法, 系将已转写出前述配线金属层之片状基材,在前述 未硬化状态下至少两层积层来形成积层体,然后使 前述积层体全层之前述片状基材一起硬化。 98.如申请专利范围第96项或第97项之配线基板之制 造方法,其中,前述片状基材系包含无机填充剂及 热硬化性树脂组成物,且具备填充有导电性组成物 之贯通孔。 99.如申请专利范围第98项之配线基板之制造方法, 其中,前述无机填充剂系择自Al2O3、MgO、BN、AlN及 SiO2所构成群中之至少一种之无机填充剂; 前述无机填充剂对前述片状基材全体的所占比例 系70~95重量%, 前述热硬化性树脂组成物对前述片状基材全体的 所占比例系5~30重量%。 100.如申请专利范围第96项或第97项之配线基板之 制造方法,其中,前述片状基材系对择自玻璃纤维 之织布、玻璃纤维之不织布、耐热有机纤维之织 布及耐热有机纤维之不织布所构成群中之至少一 种之补强材含浸热硬化性树脂组成物所构成者。 101.如申请专利范围第96项或第97项之配线基板之 制造方法,其中,前述片状基材系含有聚醯亚胺。 102.如申请专利范围第96项或第97项之配线基板之 制造方法,其中,前述片状基材系含有: 有机黏合剂; 可塑剂;以及 含有择自Al2O3、MgO、ZrO2、TiO2、BiO2、BeO、BN、CaO、 玻璃所构成群中之至少一种之陶瓷所成的陶瓷粉 未; 所构成之陶瓷片。 103.如申请专利范围第102项之配线基板之制造方法 ,其中, 对前述陶瓷片的两主面进行采用前述转写材之前 述配线图案金属层的转写; 在前述陶瓷片的两面或单面,配置主成分为无机组 成物之约束片,该无机组成物在前述陶瓷片的烧结 温度下并无实质的烧结收缩; 将前述陶瓷片与前述约束片一同烧成; 烧成后,去除前述约束片,得到陶瓷配线基板。 104.如申请专利范围第103项之配线基板之制造方法 ,系对含有热硬化性树脂组成物之片状基材之至少 一主面,进行采用前述转写材之前述配线图案金属 层的转写,来得到复合配线基板; 将前述陶瓷配线基板与前述复合配线基板积层,边 加热边压接,得到多层配线基板。 105.如申请专利范围第103项或第104项之配线基板之 制造方法,在进行采用前述转写材之前述配线图案 金属层的转写之前,在前述陶瓷片形成贯通孔,对 前述贯通孔内填充导电性组成物。 106.一种配线基板之制造方法,其特征在于, 在陶瓷片上形成贯通孔; 在形成有前述贯通孔之陶瓷片的两面或单面,配置 主成分为无机组成物之约束片,该无机组成物在前 述陶瓷片的烧结温度下并无实质的烧结收缩; 将前述陶瓷片与前述约束片一同烧成; 烧成后,去除前述约束片; 在前述贯通孔内填充热硬化性之导电性组成物,制 得附有通孔导体之陶瓷基板; 将申请专利范围第1~21项中任一项之转写材之至少 配线图案金属层(含有第2金属层)之形成侧,压接于 含有热硬化性树脂组成物之未硬化状态之片状基 材中之至少一主面, 藉由前述剥离层,将贴合于前述第2金属层之前述 第1金属层自前述第2金属层剥离,来将前述配线图 案金属层转写至前述片状基材; 于前述转写前或转写后,对含有前述热硬化性树脂 组成物之片状基材形成贯通孔,在前述贯通孔内填 充热硬化性之导电性组成物,制得附有通孔导体之 复合配线基板; 将前述陶瓷配线基板与前述复合配线基板积层,边 加热边压接,来得到多层配线基板。 107.如申请专利范围第105项或第106项之配线基板之 制造方法,在前述陶瓷片形成贯通孔时,同时形成: 积层前述陶瓷基板与前述复合配线基板时之对位 接脚用之贯通孔。 108.如申请专利范围第107项之配线基板之制造方法 ,其中,前述贯通孔之孔径系比前述接脚直径大2~10% 。 109.如申请专利范围第96项或第97项之配线基板之 制造方法,系在采用前述转写材之前述配线图案金 属层的转写后,对前述片状基材表面上所形成之配 线图案金属层上,施以镀敷处理。 110.一种配线基板之制造方法,系采用申请专利范 围第22~35项中任一项之转写材来制造配线基板;其 特征在于, 将前述转写材之至少第2金属层及前述电路元件之 形成侧,压接于未硬化状态之片状基材之至少一主 面, 藉由剥离前述第1金属层,将至少前述第2金属层及 前述电路元件转写至前述片状基材。 111.如申请专利范围第110项之配线基板之制造方法 ,系将前述转写后之片状基材,在前述未硬化状态 下积层至少两层来形成积层体,然后使前述积层体 全层之前述片状基材层一起硬化。 112.如申请专利范围第110项或第111项之配线基板之 制造方法,其中,前述片状基材系含有无机填充剂 及热硬化性树脂组成物,且具有填充着导电性组成 物之贯通孔。 113.如申请专利范围第112项之配线基板之制造方法 ,其中,前述无机填充剂系择自Al2O3、MgO、BN、AlN及 SiO2所构成群中之至少一种之无机填充剂; 前述无机填充剂对前述片状基材全体的所占比例 系70~95重量%, 前述热硬化性树脂组成物对前述片状基材全体的 所占比例系5~30重量%。 114.如申请专利范围第110项或第111项之配线基板的 制造方法,其中,前述片状基材系对择自玻璃纤维 之织布、玻璃纤维之不织布、耐热有机纤维织之 布及耐热有机纤维之不织布所构成群中之至少一 种之补强材含浸热硬化性组成物所构成者。 115.如申请专利范围第110项或第111项之配线基板之 制造方法,其中,前述片状基材系含有聚醯亚胺。 116.如申请专利范围第110项或第111项之配线基板之 制造方法,其中,前述片状基材系含有: 有机黏合剂; 可塑剂,以及 含有择自Al2O3、MgO、ZrO2、TiO2、SiO2、BeO、BN、CaO、 玻璃所构成群中之至少一种陶瓷所成之陶瓷粉末; 所构成之陶瓷片。 117.如申请专利范围第116项之配线基板之制造方法 ,系对前述陶瓷片的两主面进行采用前述转写材之 前述配线图案金属层的转写; 在前述陶瓷片的两面或单面,配置主成分为无机组 成物之约束片,该无机组成物在前述陶瓷片的烧结 温度下并无实质的烧结收缩; 将前述陶瓷片与前述约束片一同烧成; 烧成后,去除前述约束片,得到陶瓷配线基板。 118.如申请专利范围第117项之配线基板之制造方法 ,系对含有热硬化性树脂组成物之片状基材中至少 一主面,进行采用前述转写材之前述配线图案金属 层的转写,得到复合配线基板; 将前述陶瓷配线基板与前述复合配线基板积层,边 加热边压接,得到多层配线基板。 119.如申请专利范围第117项之配线基板之制造方法 ,在进行采用前述转写材之前述配线图案金属层的 转写之前,在前述陶瓷片形成贯通孔,然后在前述 贯通孔内填充导电性组成物。 120.一种配线基板之制造方法,其特征在于, 在陶瓷片形成贯通孔; 在形成前述贯通孔之陶瓷片的两面,配置主成分为 无机组成物之约束片,该无机组成物在前述陶瓷片 的烧结温度下并无实质的烧结收缩; 将前述陶瓷片与前述约束片一同烧成; 烧成后,去除前述约束片; 在前述贯通孔内填充热硬化性之导电性组成物,制 得附有通孔导体之陶瓷基板; 将申请专利范围第22~35项中任一项之转写材之至 少配线图案金属层(含有第2金属层)之形成侧,压接 于含有热硬化性树脂组成物之未硬化状态之片状 基材中之至少一主面, 藉由前述剥离层,将贴合于前述第2金属层之前述 第1金属层自前述第2金属层剥离,来将前述配线图 案金属层转写至前述片状基材; 于前述转写前或转写后,对含有前述热硬化性树脂 组成物之片状基材形成贯通孔,在前述贯通孔内填 充热硬化性之导电性组成物,制得附有通孔导体之 复合配线基板; 将前述陶瓷配线基板与前述复合配线基板积层,边 加热边压接,得到多层配线基板。 121.如申请专利范围第119项之配线基板之制造方法 ,在前述陶瓷片形成贯通孔时,同时形成积层前述 陶瓷基板与前述复合配线基板时之对位接脚用之 贯通孔。 122.如申请专利范围第121项之配线基板之制造方法 ,其中,前述贯通孔之孔径系比前述接脚直径大2~10% 。 123.如申请专利范围第110项或第111项之配线基板之 制造方法,其中,在采用前述转写材之前述配线图 案金属层的转写后,对前述片状基材表面上所形成 之配线图案金属层上,施以镀敷处理。 图式简单说明: 图1所示系本发明之转写用图案形成材(以下,称作 转写材)的第1实施形态(第1转写材)的构成概略之 截面图。 图2所示系本发明之转写材的第2实施形态(第2转写 材)的构成概略之截面图。 图3所示系本发明之转写材的第3实施形态(第3转写 材)的构成概略之截面图。 图4(a)~(f)所示系前述第1转写材之制程的概略截面 图。 图5(a)~(e)所示系前述第2转写材之制程的概略截面 图。 图6(a)~(e)所示系前述第3转写材之制程的概略截面 图。 图7(a)~(c)所示系采用本发明之转写材所形成之复 合配线基板的制程之一例的概略截面图。 图8所示系采用本发明之转写材所制作出之陶瓷配 线基板之构成概略截面图。 图9所示系将半导体晶片以覆晶方式组装于陶瓷配 线基板上之构成概略截面图。 图10(a)~(j)所示系采用本发明之转写材所形成之多 层配线基板的制程之一例的概略截面图。 图11所示系采用本发明之转写材所形成之多层配 线基板之一例的概略截面图。 图12所示系采用本发明之转写材所形成之多层配 线基板之另一例的概略截面图。 图13所示系采用本发明之转写材所形成之多层配 线基板之又一例的概略截面图。 图14所示系采用本发明之转写材所形成之多层配 线基板之再一例的概略截面图。 图15所示系采用本发明之转写材所形成之多层配 线基板之再一例的概略截面图。 图16(a)~(c)所示系采用本发明之转写材所形成之多 层配线基板的制程之一例的概略截面图。 图17(a)~(c)所示系采用本发明之转写材所形成之多 层配线基板的制程之另一例的概略截面图。 图18(a)~(e)所示系采用本发明之转写材所形成之多 层配线基板的制程之又一例的概略截面图。 图19(a)及(b)所示系,本发明之第5实施形态之转写用 元件配线图案形成材(第4转写材)之构成概略截面 图。 图20所示系,本发明之第6实施形态之转写用元件配 线图案形成材(第5转写材)之构成概略截面图。 图21所示系,本发明之第7实施形态之转写用元件配 线图案形成材(第6转写材)之构成概略截面图。 图22(a)~(g')所示系,采用前述第4转写材之多层电路 基板的制程截面图。 图23(a)~(h)所示系,采用前述第5转写材之多层电路 基板的制程截面图。 图24(a)~(h)所示系,采用前述第6转写材之多层电路 基板的制程截面图。 图25所示系,采用前述第4~第6转写材所制造出之多 层电路基板的截面图。 图26(a)~(c)系示意地表示出,采用本发明之第6转写 材来形成构成图25所示之多层电路基板各层之单 层配线基板之截面图;(a')~(c')所示系,以(a)~(c)的各 种方法所形成之多层电路基板各层的截面图;(d') 所示系前述多层电路基板最下层之配线基板的截 面图。 |
