发明名称 透明导电性氧化锡膜形成用涂布溶液及透明导电性氧化锡膜之制造方法及透明导电性氧化锡膜
摘要 [课题] 提供以廉价氧化锡、氯化锡等做为原料而取得具有优良电性及透明性之强韧的氧化锡膜之透明导电性氧化锡膜形成用涂布溶液,及透明导电性氧化锡膜之制造方法及透明导电性氧化锡膜。[解决手段] 为经由涂布法形成以氧化锡为主体之透明导电性膜所用之涂布溶液,为于氨水及水溶性胺所组成群中选出至少一种化合物存在下,于含有锡酸做为主成分之水溶液中,再令具有极性基之水溶性聚合物溶解。
申请公布号 TWI225468 申请公布日期 2004.12.21
申请号 TW089124354 申请日期 2000.11.17
申请人 东洋合成工业股份有限公司 发明人 新梅数马;内田隆;木村正辉
分类号 C01G19/00;C23C18/12 主分类号 C01G19/00
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路三段三四六号一一一二室;宿希成 台北市松山区南京东路三段三四六号一一一二室
主权项 1.一种透明导电性氧化锡膜形成用涂布溶液,其为 经由涂布法形成以氧化锡为主体之透明导电性膜 所用之涂布溶液,其特征为: 于可使水溶液成为pH10以上之量的氨水及水溶性胺 所组成群中选出至少一种化合物存在下,将锡的卤 化物予以加水分解,所得之氢氧化物(锡酸),再予以 溶解于水中后所得到的含有锡酸做为主成分之水 溶液中,再令0.1~5重量%之具有极性基之水溶性聚合 物溶解所成,其中前述具有极性基之水溶性聚合物 为由聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯乙醯胺(PNVA)、聚乙烯 甲醯胺(PNVF)、聚二甲基丙烯醯胺(PDMAA)、聚丙烯醯 胺(PAAM)、聚丙烯吗(PAM)、羟乙基纤维素(HEC)、羟 丙基纤维素(HPC)、及羧甲基纤维素(CMC)所组成群中 选出至少一种。 2.如申请专利范围第1项之透明导电性氧化锡膜形 成用涂布溶液,其中前述锡的卤化物为锡之氯化物 。 3.如申请专利范围第1或2项中任一项之透明导电性 氧化锡膜形成用涂布溶液,其中前述水溶性胺为由 氢氧化四甲基铵、三乙胺、二乙胺、三甲胺、及 二甲胺所组成群中选出至少一种。 4.如申请专利范围第1或2项中任一项之透明导电性 氧化锡膜形成用涂布溶液,其为含有锑、铋及铌中 之至少一种水溶性化合物做为掺混剂。 5.如申请专利范围第1或2项中任一项之透明导电性 氧化锡膜形成用涂布溶液,其为含有含氟之水溶性 有机化合物做为掺混剂。 6.一种透明导电性氧化锡膜,其特征为于可使水溶 液成为pH10以上之量的氨水及水溶性胺所组成群中 选出至少一种化合物存在下,将锡的卤化物予以加 水分解,所得之氢氧化物(锡酸),再予以溶解于水中 后所得到的含有锡酸做为主成分之水溶液中,再令 0.1~5重量%具有极性基之水溶性聚合物溶解之透明 涂布溶液进行涂布、乾燥并且锻烧而成,其中前述 具有极性基之水溶性聚合物为由聚乙烯醇(PVA)、 聚乙烯乙醯胺(PNVA)、聚乙烯甲醯胺(PNVF)、聚二甲 基丙烯醯胺(PDMAA)、聚丙烯醯胺(PAAM)、聚丙烯吗 (PAM)、羟乙基纤维素(HEC)、羟丙基纤维素(HPC)、及 羧甲基纤维素(CMC)所组成群中选出至少一种。 7.如申请专利范围第6项之透明导电性氧化锡膜,其 为含有锑、铋及铌之至少一种水溶性化合物做为 掺混剂。 8.如申请专利范围第6或7项之透明导电性氧化锡膜 ,其为含有含氟之水溶性有机化合物做为掺混剂。 9.如申请专利范围第6或7项之透明导电性氧化锡膜 ,其中比电阻为小于110-2.cm。 10.一种透明导电性氧化锡膜之制造方法,其特征为 具备于可使水溶液成为pH10以上之量的氨水及水溶 性胺所组成群中选出至少一种化合物存在下,于将 锡的卤化物予以加水分解,所得之氢氧化物(锡酸), 再予以溶解于水中后所得到的含有锡酸做为主成 分之水溶液中,其令0.1~5重量%具有极性基之水溶性 聚合物溶解形成透明涂布溶液之工程、及将此溶 液涂布至被对象物且形成涂布膜之工程、及将此 涂布膜乾燥并且锻烧形成透明导电性氧化锡膜之 工程,其中前述具有极性基之水溶性聚合物为由聚 乙烯醇(PVA)、聚乙烯乙醯胺(PNVA)、聚乙烯甲醯胺( PNVF)、聚二甲基丙烯醯胺(PDMAA)、聚丙烯醯胺(PAAM) 、聚丙烯吗(PAM)、羟乙基纤维素(HEC)、羟丙基纤 维素(HPC)、及羧甲基纤维素(CMC)所组成群中选出至 少一种。 11.如申请专利范围第10项之透明导电性氧化锡膜 之制造方法,其中前述锡化合物为锡之氯化物。 12.如申请专利范围第10或11项中任一项之透明导电 性氧化锡膜之制造方法,其中前述水溶性胺为由氢 氧化四甲基铵、三乙胺、二乙胺、三甲胺、及二 甲胺所组成群中选出至少一种。 13.如申请专利范围第10或11项中任一项之透明导电 性氧化锡膜之制造方法,其中前述透明涂布溶液为 含有锑、铋及铌之至少一种氢氧化物做为掺混剂 。 14.如申请专利范围第10或11项中任一项之透明导电 性氧化锡膜之制造方法,其中前述透明涂布溶液为 含有含氟之水溶性有机化合物做为掺混剂。 15.如申请专利范围第10或11项中任一项之透明导电 性氧化锡膜之制造方法,其中将前述涂布膜于90℃~ -190℃下进行乾燥。 16.如申请专利范围第10或11项中任一项之透明导电 性氧化锡膜之制造方法,其中将前述涂布膜于400~ 700℃进行锻烧。
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