| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征在于具有: 在单结晶之半导体基板上形成闸极绝缘膜之工序; 在前述闸极绝缘膜上形成包含多结晶导电膜之闸 极之工序; 将杂质注入于前述闸极中及与前述闸极邻接或离 间之前述半导体基板之表面层中之工序; 以主要使注入于前述闸极中之杂质扩散,并抑制注 入于前述半导体基板之表面层中之杂质扩散之温 度,施行热处理之第1热处理工序;及 以活化注入于前述半导体基板中之杂质之温度,利 用比前述第1热处理高温短时间施行热处理之第2 热处理工序者。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中注入前述杂质之工序具有: 第1离子注入工序,其系于邻接前述闸极之区域之 半导体基板之表面层进行离子注入,以形成第1杂 质离子注入区域;及 第2离子注入工序,其系于与前述闸极离间之区域 之半导体基板之表面层进行离子注入,以形成比前 述第1杂质离子注入区域深的第2杂质离子注入区 域。 3.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法, 其中并且 于前述第1离子注入工序后、前述第2离子注入工 序前, 具有与前述第2热处理工序同一条件之第3热处理 工序。 4.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中前述多结晶导电膜系多结晶Si膜。 5.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中前述第1热处理工序系以退火温度600℃以上950 ℃以下以及依据温度条件,退火时间1小时至5秒之 条件进行。 6.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中前述第1热处理工序系采用红外灯或电热板实 施。 7.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法, 其中前述红外灯系卤素灯。 8.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中前述第2热处理工序系热处理时间为100ms以下 。 9.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法, 其中前述第2热处理工序系使用照射时间可调整到 100ms以下之光源实施。 10.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法 ,其中前述第2热处理工序系使用照射能量密度为10 ~60J/cm2之光源。 11.如申请专利范围第10项之半导体装置之制造方 法,其中前述光源系Xe闪光灯。 12.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方 法,其中前述Xe闪光灯之照射时间为10ms以下。 13.如申请专利范围第10项之半导体装置之制造方 法,其中前述光源系准分子雷射或YAG雷射。 14.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法 ,其中前述第2热处理工序系 在事先以较前述第1热处理工序之热处理温度低之 温度预备加热前述半导体基板之状态进行。 15.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方 法,其中前述预备加热之温度为200~600℃。 16.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方 法,其中前述预备加热系使用红外灯或电热板实施 。 17.如申请专利范围第1至16项中任一项之半导体装 置之制造方法,其中前述第1热处理工序与前述第2 热处理工序系使用单一退火装置,于同一反应室内 连续地执行。 18.如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方 法,其中 前述退火装置具有反应室,其系密闭收纳基板;第1 加热源,其具有设于前述反应室内之照射时间100ms 以下、照射能量密度10~60J/cm2之光源;及第2加热源, 其系包含卤素灯或电热板。 19.如申请专利范围第18项之半导体装置之制造方 法,其中前述第1加热源系Xe闪光灯。 20.一种退火装置,其特征在于具有: 反应室,其系密闭收纳基板; 第1加热源,其具有设于述反应室内之照射时间100ms 以下、照射能量密度10~60J/cm2之光源;及 第2加热源,其包含卤素灯或电热板。 21.如申请专利范围第20项之退火装置,其中前述第1 加热源系Xe闪光灯。 图式简单说明: 图1(a)-(f)系表示本发明之实施型态之半导体制造 方法之各工序之半导体装置之剖面图。 图2系表示本发明之实施型态之闪光灯退火工序之 温度曲线图。 图3系表示本发明之实施型态之预退火工序之温度 曲线图。 图4(a)(b)系表示采用关于本发明之实施型态之二阶 段退火法所制作之实施例之MOS闸与取代二阶段退 火仅采用闪光灯退火之比较例1以及采用以往之退 火方法之比较例2之各MOS闸之闸电容与闸电压之关 系图。 图5系表示采用关于本发明之实施型态之二阶段退 火法所制作之实施例之闸极与取代二阶段退火仅 采用闪光灯退火法所制作之比较例之闸极之硼(B) 之浓度分布图。 图6系表示以关于本发明之实施型态之制造方法所 得到之源极/汲极之扩张区域内之硼(B)之浓度分布 图。 图7系表示关于本发明之实施型态之预退火条件。 图8系表示连续进行关于本发明之其它实施型态之 预退火(第1热处理)与闪光灯退火(第2热处理)时之 温度曲线图。 图9系表示于同一反应室内包含Xe闪光灯与卤素灯 之退火装置之概略构成图。 |
