摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de contrôle et de rafraîchissement d'un transistor à grille flottante dans l'état effacé, comprenant les étapes consistant à appliquer une tension d'effacement positive (VERpos) sur une grille de contrôle du transistor à grille flottante, et appliquer sélectivement une tension d'effacement positive (VD, Vprog2) au drain du transistor à grille flottante, par exemple au moyen d'un verrou de programmation. Application au contrôle et au rafraîchissement de pages mémoire dans une mémoire Flash.</P>
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