| 发明名称 |
DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR DE TYPE SOI ET PROCEDE DE FABRICAT ION DE CE DISPOSITIF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2807211(B1) |
申请公布日期 |
2004.12.17 |
| 申请号 |
FR20000014712 |
申请日期 |
2000.11.15 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
MATSUMOTO TAKUJI;IWAMATSU TOSHIAKI;HIRANO YUUICHI |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/84;H01L27/08;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/762;(IPC1-7):H01L27/12 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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