发明名称 碳化矽之反射型欧姆接触,其包括基本上由镍组成之层,其制造方法,其包含彼等之发光装置
摘要 使用于n型碳化矽之反射型欧姆接触系包括位于该碳化矽上而基本上由镍组成之层。该基本上由镍组成之层被构成为可为该碳化矽提供一欧姆接触,并容许从碳化矽上射出之光学辐射穿透。反射器层系位在该基本上由镍组成之层上且与碳化矽相对。而与该基本上由镍组成之层相对之该反射器层上系一障壁层,以及在与该反射器层相对之该障壁层上系一焊接层。已发现该基本上由镍组成之层与其上之该反射器层能为碳化矽提供一具有低欧姆损耗及/或高反射率之反射型欧姆接触。
申请公布号 TW200428680 申请公布日期 2004.12.16
申请号 TW093103190 申请日期 2004.02.11
申请人 克立公司 发明人 汉格璃那 亥尔麻特;大卫B 史雷德三世
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国