| 摘要 |
本发明系关于一种半导体装置及其制造方法，尤指关于主电流往半导体基板厚度方向流动之半导体装置。且，本发明之目的在于提供一种主电流往半导体基板厚度方向流动之半导体装置，邻接配设功能相异之半导体元件时，可达到所期望之电特性。因此，为达成上述目的，于半导体基板(901)之第2主面(MS2)表面内，设有互相隔着间隔而交互形成P型半导体区域(912)和N型半导体区域(913)，两者间的半导体基板(901)表面内配设有在沟渠内埋入绝缘体(914)而形成之沟渠隔离结构(911)。而且，配设有P型半导体区域(912)及N型半导体区域(913)所共同接触之第2主电极(916)。 |
