导电薄膜形成的方法

摘要

本发明系有关于一种导电薄膜形成的方法，其步骤包括提供一基材；形成剖面为倒角形状之一具第一图样之光阻层于该基材上；沈积至少一导电薄膜；以及剥离(lift–off)该光阻层，使该基材表面留下互补于第一图样之一第二图样导电薄膜层；其中该薄膜在沈积时即自然形成一倾斜(taper)角度，可提高后续制程的阶梯覆盖性并减少元件中孔洞的产生，而无须利用复杂之蚀刻制程。