| 摘要 |
本发明系于记忆胞区域之配线使用包覆构造，同时不使周边电路区域之制程复杂化，而将周边电路区域之高积体化、配线电阻谋求减低。本发明之磁性记忆装置1系于同一半导体元件基板10搭载记忆胞区域6及周边电路区域8；记忆胞区域具备：第一配线11；第二配线12，其系与第一配线11立体地交叉者；及磁阻效应型之记忆元件13，其系于第一配线11与第二配线12之交叉区域，记忆并且再生磁性自旋之资讯者；仅于记忆胞区域内，在第一配线11之两侧面及与对着记忆元件13之面相反侧之面，形成由高透磁率层所组成之磁性体层51，于第二配线12，亦在第二配线12之两侧面及与对着记忆元件13之面相反侧之面，形成由高透磁率层所组成之磁性体层51。 |
