发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 依据本发明,于具有复数个结晶面之立体构造之矽基板表面上,使用电浆形成闸极绝缘膜。电浆闸极绝缘膜于复数个结晶面中亦不会增加界面单位,于立体构造之角部亦具有均匀膜厚。藉由利用电浆形成高品质之闸极绝缘膜而得到良好特性之半导体装置。
申请公布号 TW200428473 申请公布日期 2004.12.16
申请号 TW093115953 申请日期 2004.06.03
申请人 大见忠弘 发明人 大见忠弘;寺本章伸
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 周良谋
主权项
地址 日本