| 摘要 |
制作多种侧壁子宽度的方法，系先于一半导体基底之第一电晶体区域、第二电晶体区域以及第三电晶体区域上形成一第一闸极结构、一第二闸极结构以及一第三闸极结构。然后，形成一衬层以覆盖该第一闸极结构、该第二闸极结构以及该第三闸极结构，再形成一第一侧壁子层以覆盖该第三电晶体区域。接着，形成一第二侧壁子层以系覆盖该第二电晶体区域以及第三电晶体区域，后续形成一第三侧壁子层以覆盖该第一电晶体区域、该第二电晶体区域以及该第三电晶体区域。最后，进行非等向性蚀刻制程以去除部份之该第三侧壁子层、该第二侧壁子层、该第一侧壁子层以及该衬层，直至暴露该第一闸极结构、该第二闸极结构以及该第三闸极结构之顶面之该衬层。第一闸极结构之侧壁子宽度W1、第二闸极结构之侧壁子宽度W2、第三闸极结构之侧壁子宽度W3符合下列关系式：W1＜W2＜W3。 |
