具有低电阻値之自行对准矽化物结构及制程方法

摘要

一种具有低电阻值之自行对准矽化物结构及制程方法，主要包含矽基材、第一矽锗层及第二矽锗层，其中第一矽锗层中设有源极／汲极区域。藉由去除源极／汲极区域上一部份的第一矽锗层或是全部的第一矽锗层，形成第二矽锗层，以避免锗离子抑制矽化金属层的成长，以降低源极／汲极区域的片电阻值。亦可利用布植制程来调整第一矽锗层的电性，提高矽化金属在第一矽锗层的含量，以降低源极／汲极区域的片电阻值。