发明名称 唯读记忆体的制造方法
摘要 一种唯读记忆体的制造方法,此方法系于一基底上形成电子捕捉层结构,再图案化电子捕捉层结构以形成复数个开口。接着,进行第一离子植入制程以于开口中的基底表面形成第一掺杂区,再进行第二离子植入制程,以于开口中的基底中形成第二掺杂区,其中第一掺杂区的掺杂深度小于第二掺杂区的掺杂深度,然后,于开口中的基底表面形成一埋入式汲极绝缘层。
申请公布号 TW200428598 申请公布日期 2004.12.16
申请号 TW092115808 申请日期 2003.06.11
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 刘振钦;庄焜吉
分类号 H01L21/8246 主分类号 H01L21/8246
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学园区力行路十六号