发明名称 | 唯读记忆体的制造方法 | ||
摘要 | 一种唯读记忆体的制造方法,此方法系于一基底上形成电子捕捉层结构,再图案化电子捕捉层结构以形成复数个开口。接着,进行第一离子植入制程以于开口中的基底表面形成第一掺杂区,再进行第二离子植入制程,以于开口中的基底中形成第二掺杂区,其中第一掺杂区的掺杂深度小于第二掺杂区的掺杂深度,然后,于开口中的基底表面形成一埋入式汲极绝缘层。 | ||
申请公布号 | TW200428598 | 申请公布日期 | 2004.12.16 |
申请号 | TW092115808 | 申请日期 | 2003.06.11 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 刘振钦;庄焜吉 |
分类号 | H01L21/8246 | 主分类号 | H01L21/8246 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学园区力行路十六号 |