半导体记忆装置

摘要

本发明之半导体记忆装置系在无损资料保持稳定性下高速地进行资料之写入。其设置以记忆单元阵列(1)之行单位至少在资料写入时控制基板电位的基板电位设定电路(10)。在资料写入时，选择行之记忆单元电晶体的基板区域，藉由变更电位俾使资料保持特性(静态杂讯边限)降低，即可对记忆单元既高速且确实地写入资料。