III-V族化合物半导体及其制造方法

摘要

本发明系关于具有一般式InxGayAlzN(x＋y＋z＝1，0＜x＜1，0＜y＜1，0≦z＜1)所示量子井层，与挟持该量子井层之2个阻隔层所得之量子井构造之Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体，其特征为，该阻隔层与该量子井层以重复复数次形成之多层量子井层构造时，该阻隔层与该量子井构造经X光绕射所得之量子井层之平均InN混晶比，相对于具有该多重量子井构造Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体注入电荷产生之发光波长所求得之InN混晶比为42.5％以下为其之Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。