| 摘要 |
本发明提供一种呈现增进弹性模数及硬度的多相、超低K值薄膜以及形成该薄膜的各种方法。该多相、超低K值介电薄膜包括Si、C、O及H原子，具有约2.4或更低的介电常数、奈米尺寸的孔隙或孔穴、一约5或更大的弹性模数及约0.7或更大的硬度。一较佳的多相、超低K介电薄膜包括Si、C、O及H原子，具有约2.2或更低的介电常数、奈米尺寸的孔隙或孔穴、约3或更大的弹性模数及约0.3或更大的硬度。该多相、超低K值薄膜利用电浆辅助化学气相沉积制备，其中利用下列替代物之一：至少一个前躯物气体包括含至少三个Si–O键结的矽氧烷分子；或至少一个前躯物气体包括含对电子束辐射敏感的反应性基的分子。本发明也揭露包括该多相、超低K值薄膜的电子结构。 |
