非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体及其制造方法，其系提供具有记忆胞区与周边元件区之基底。然后，于基底上依序形成至少覆盖记忆胞区之部分的电子陷入层与至少覆盖电子陷入层之第一闸极层。接着，于周边元件区形成至少闸极氧化层与第二闸极层后，图案化第一闸极层以形成复数个记忆体闸极。此非挥发性记忆体及其制造方法能够减少电子陷入层受到损害，并且减少记忆胞在CMOS制程中暴露在热环境中。