一种低温多晶矽薄膜电晶体的制作方法

摘要

首先于一基板表面形成一多晶矽薄膜、一闸极绝缘层以及一闸极，接着于该闸极周围形成一源极与一汲极，随后进行二电浆增强化学气相沈积制程，以分别形成一氮化矽层以及一以四乙氧基矽烷为主之矽氧层，覆盖于该闸极与该多晶矽薄膜表面，最后于该源极与该汲极上方各形成一接触洞，并填入一导电层以分别电连接于该源极与该汲极。