矽化金属层之制造方法

摘要

一种矽化金属层(Silicide Layer)之制造方法，其系在基材表面形成非晶矽层(Amorphous Silicon Layer)后，进行不完全回火步骤(Incomplete Anneal Step)，以保留部分之非晶矽层。接着，在非晶矽层上形成金属层，再进行矽化金属步骤，而在基材表面上形成矽化金属层。