| 摘要 |
一种藉由量测其中之缺陷与污染来品质筛选矽锗磊晶层之方法，其包括以下步骤：(譬如)藉由化学气体沈积法于一合适基板(譬如半导体结构(诸如矽晶圆))之上磊晶生长一矽锗层；将该矽锗层之表面曝露于来自一适当光源(较佳为雷射，尤其为高强度雷射)之至少一个高强度光束下，且收集藉由光束激励矽锗层而产生之光致发光(PL)；数值分析自该结构之整个区域发射之光致发光；将该结果与光致发光之一预定的可接受规格范围进行比较；基于该比较做出对该矽锗层结构之品质分级，且尤其排除或选择展示一在该预定的可接受规格范围之外的光致发光回应之所生长矽锗层以采取矫正措施。本文亦描述了一种用于执行该方法之装置及一种并入SiGe生长反应器之该装置。 |
