| 摘要 |
一种尤其在作为设备制造之一部份的热处理过程中侦测半导体结构内之杂质的方法，该方法包括以下步骤：将半导体结构之表面曝露于来自一适当光源之至少一个高强度光束(较佳为雷射，尤其为高强度雷射)下，且收集因该光束激励该半导体结构而产生之光致发光；数值分析自该结构之整个区域发射之光致发光；将该结果与光致发光之一预定的可接受规格范围进行比较；基于该比较做出对该半导体结构之品质分级，且尤其排除或选择展示一在该预定的可接受规格范围之外的光致发光响应之半导体结构以采取矫正措施。在该方法之一改进方案中，亦收集一空间解析PL(光致发光)映射。本文亦描述了供执行该方法用之一种设备。 |
