新颖之有机金属铱化合物,其制法,及制造薄膜之方法

摘要

本发明提供一种有机金属化合物，其具有低熔点、优良汽化特征以及在基材上之膜形成温度低，供使用CVD形成含铱薄膜。该有机金属铱化合物系以下列通式(1)或(2)表示：093111478-p01.bmp其中，R^1表示氢或低级烷基；R^2至R^7各表示氢、一种卤素等等，其先决条件系排除R^1至R^7的特定组合；R^8表示低级烷基；R^9至R^12各表示氢、一种卤素等等，其先决条件系排除R^8至R^12的特定组合。以CVD法，使用该化合物作为前驱体制造含铱薄膜。