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经营范围
发明名称
沉积氧化矽于大面积基板上之方法与设备
摘要
一种用来以至少每分钟3000埃()的速率来将一介电物质沉积到一至少约0.35平方公尺的大面积基板上的方法及设备被提供。在一实施例中,该介电物质为氧化矽。一种大面积基板亦被提供,其具有一层介电物质被沉积于其上,该介电物质层是利用一可达到每分钟超过3000埃的沉积速率的处理来沉积的,以及一种制造该大面积基板的处理室亦被提供。
申请公布号
TW200427862
申请公布日期
2004.12.16
申请号
TW093109649
申请日期
2004.04.07
申请人
应用材料股份有限公司
发明人
叶达夫山杰D YADAV, SANJAY D.;尚全远;白隆尼根温德T BLONIGAN, WENDELL T.
分类号
C23C16/513
主分类号
C23C16/513
代理机构
代理人
蔡坤财
主权项
地址
美国
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