| 摘要 |
本发明可控制用来在基材上沉积薄膜之沉积系统的寄生性沉积物，该型式的沉积系统界定出用来接收该基材的反应舱，且在该反应舱及与该反应舱邻近的内部表面中包含一制程气体。此控制可藉由在该内部表面与至少部分之制程气体间流入缓冲气体以形成气体阻障层而提供，如此该气体阻障层可抑制在该内部表面与制程气体之组分间的接触。一种使用制程气体在基材上沉积薄膜之沉积系统包括采用来接收该基材与制程气体的反应舱。该系统更包括与该反应舱邻近的内部表面。采用缓冲气体供应系统，以在该内部表面与至少部分之制程气体间提供缓冲气体流，如此当将制程气体布置在该反应舱时，该缓冲气体流会形成气体阻障层，而抑制在该内部表面与该制程气体之组分间的接触。 |
