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发明名称
可用于半导体加工中之羧酸钛膜
摘要
本发明包括显示改良之水解稳定性和光敏度的碳酸钛膜之形成。该等薄膜可使用于半导体加工中以在基材上沈积钛和氧化钛层和形成图案而没有使用光阻剂。较佳羧酸钛为直链和支链羧酸盐,其中烷氧化物成分为醇,支链羧酸钛,其中烷氧化物成分为二醇,直链和支链α–羟基羧酸钛化合物,和二羧酸钛化合物。
申请公布号
TW200427856
申请公布日期
2004.12.16
申请号
TW093104622
申请日期
2004.02.24
申请人
依凯希科技公司
发明人
罗斯 希尔;保罗 小罗曼;徐斯吉;张辛
分类号
C23C16/06
主分类号
C23C16/06
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
美国
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