发明名称 内部玻化二氧化矽坩埚之制造方法
摘要 一种用以制造无裂痕、内部玻化二氧化矽坩埚之方法,在该方法中,藉助于一二氧化碳雷射束焦斑将一无定形、开孔二氧化矽坯体坩埚加以烧结,其中在烧结过程中,使焦斑相对于坩埚移动藉助于尖端状焦斑,烧结作用自该二氧化矽坯体坩埚之上内边缘开始,并继续使尖端状焦斑扩大至预期焦斑之大小,焦斑扫过二氧化矽坯体坩埚之上内边缘直至上内边缘完全玻化,之后该焦斑移至二氧化矽坯体坩埚内。
申请公布号 TW200427639 申请公布日期 2004.12.16
申请号 TW093114983 申请日期 2004.05.26
申请人 瓦克化学公司 发明人 符瑞兹席外尔特费格尔;珍斯君斯特;史文颜格勒;尤尔根汉瑞希
分类号 C03B19/06 主分类号 C03B19/06
代理机构 代理人 甯育丰
主权项
地址 德国