图案形成方法、电子元件制造方法、电子元件以及光罩

摘要

本发明，系在基板1上之被加工层4表面形成薄膜5，藉由微影制程(光阻涂布、图案曝光、显影等)在薄膜5表面形成第1图案6。该第1图案6系周期性密集图案，系在最终应于被加工层4形成的开口图案加上虚(dummy)图案，俾使用最适于曝光之变形照明等超解析技术。接着，以第1图案6为遮罩，对薄膜5蚀刻，去除第1图案6。之后，在薄膜5的表面藉由微影制程形成包含期望图案之第2图案11。最后，以薄膜5与第2图案11为遮罩，对被加工层4施以蚀刻，进而将期望图案16形成于被加工层4。