| 摘要 |
一磁阻随机存取记忆体(MRAM)阵列(200)之每个记忆单元(260，262，266，268)具有一磁阻穿隧接合面(Magnetoresistivetunnel junction，MTJ)，及耦合于该MTJ之电晶体(261)。写入系由写入线(220，232)沿着该阵列的列及行所产生。该等写入线中的一组(232，236)系连接到未连接电晶体之MTJ的末端。因此这些写入线即靠近于该等MTJ，并与该等MTJ具有良好的磁性耦合，其对于保持低的写入电流很重要。这些写入线系由驱动器(240，252)在其一末端驱动。另一方面的感应会发生在未耦合到该MTJ之记忆单元的电晶体末端之读取位元线(222)之上。藉由与该等写入驱动器不同线上的感应放大器(270)，感应并不会由于该等写入驱动器(240，252)之电容所减慢。 |
