| 摘要 |
一种SOI晶圆，系将分别由矽单结晶所形成的基底晶圆和结合晶圆，经由氧化膜加以贴合之后，藉由使前述结合晶圆薄膜化而形成有矽活性层的SOI晶圆，其特征为：前述基底晶圆，系由藉由切克劳斯基法所育成的矽单结晶，该晶圆全面为OSF区域之外侧的N区域，且未含有藉由Cu沉积法而被检测出来的缺陷区域的矽晶圆；或是该晶圆全面为OSF区域之外侧，未含有藉由Cu沉积法而被检测出来的缺陷区域，且包含存在起因于晶格间矽的差排群之I区域的矽晶圆所构成。藉此，可以提供一种SOI晶圆，即使层间绝缘层的厚度，例如形成100nm以下程度之极薄的情况，高绝缘性被维持，在装置制造过程中，电性可靠度高。 |
