发明名称 | 金属层的改质方法 | ||
摘要 | 本发明揭示一种金属层的改质方法。首先,提供一半导体基底。接着,形成一第一金属阻障层于上述基底表面。接着,形成一金属层于上述第一金属阻障层表面。然后,形成一第二金属阻障层于上述金属层表面。最后,实施一改质程序。该改质程序包括1.以热处理方式,包括烘烤或快速冷却,改质金属层。2.以含氮气体处理方式改质金属层。而改质程序可施行于1.形成金属层之前,2.形成金属层之后,3.形成第二金属阻障层之钛之后,4.形成第二金属阻障层之氮化钛之后。 | ||
申请公布号 | TW200428532 | 申请公布日期 | 2004.12.16 |
申请号 | TW092115012 | 申请日期 | 2003.06.03 |
申请人 | 矽统科技股份有限公司 | 发明人 | 方瑞华;锺振辉;吕佳慧 |
分类号 | H01L21/324 | 主分类号 | H01L21/324 |
代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学园区研新一路十六号 |