具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法

摘要

本发明提供一种具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法。提供具有沟槽的一基底，沟槽下部有一沟槽电容。形成一领圈绝缘层于沟槽上部的侧壁上。形成一导体层于沟槽电容上方。去除部分的导体层与领圈绝缘层而形成具有第一与第二侧壁之一开口，且领圈绝缘层顶部低于第一导体层顶部。对第一侧壁表面进行含氟离子之倾角度植入制程。进行热氧化制程，形成一第一氧化层于第一侧壁上，以及形成一第二氧化层于第二侧壁上，第一氧化层厚度大于第二氧化层厚度。去除第二氧化层。形成埋藏带于开口底部，埋藏带系藉由第一氧化层而与第一侧壁绝缘隔离。