具有深沟渠式电容器之记忆元件的制造方法

摘要

一种具有深沟渠式电容器之记忆元件的制造方法，其电容器之上电极的制造方法系在基底中所形成的深沟渠的下部与中部先形成第一导电层，接着，在深沟渠的上部形成一未掺杂半导电层，之后，在基底上形成一罩幕层，罩幕层系覆盖形成在深沟渠之边缘处之未掺杂半导电层中靠近相邻行预定形成之主动区的部分，然后，进行离子植入，以在未被罩幕层覆盖的未掺杂半导电层中植入掺杂，形成第二导电层。